CIGS薄膜太阳能技术
太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池（CIGS）、碲化镉薄膜太阳能电池（CdTe）。2007年全球太阳能电池产量达到3436MW，较2006年增长了56%，中国厂商市场占有率由2006年的20%提升至35
薄膜电池技术具有提供最低的每瓦组件成本的优势，将有望成为第一个达到电网等价点的太阳能技术。由于原材料短缺，在单晶硅和多晶硅太阳能电池的发展速度受到限制的情况下，新型薄膜太阳能电池发展尤为迅速
CIGS薄膜电池扩产的太阳能发展策略，除太阳能模块产品在去年12月已正式出货，CIGS薄膜太阳能电池也正安装设备，在自主技术研发下，电池转换效率也突破 16%。 铼德发言人艾元瑞表示，美日各国针对
(amorphous silicon)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒化镓(CIGS)等薄膜太阳能技术，将在09年在整体太阳能市场取得17.8的占有率，并在2010年将该比例进一步扩大至2010
。 Castellano表示，薄膜太阳能技术的崛起是一般用以生产高效率太阳能板的多晶硅材料供应短缺的结果；而这个因素以及宏观经济情势，将在近期改写太阳能产业的获利，所带来的冲击也将延续更久
(amorphous silicon)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒化镓(CIGS)等薄膜太阳能技术，将在09年在整体太阳能市场取得17.8的占有率，并在2010年将该比例进一步扩大至2010
。 Castellano表示，薄膜太阳能技术的崛起是一般用以生产高效率太阳能板的多晶硅材料供应短缺的结果；而这个因素以及宏观经济情势，将在近期改写太阳能产业的获利，所带来的冲击也将延续更久
尽管薄膜硅太阳能电池的转换效率并不能和当今的主流技术相媲美，然而一旦考虑每千瓦(特)小时能量的生产成本，这项技术就能够脱颖而出。随着半导体和平板技术的发展，薄膜硅太阳能技术将能够帮助太阳能产业
。薄膜太阳能技术通过在玻璃基板上淀积一层薄无定形硅（a-Si）取代以往的c-Si体硅基板太阳能技术，从而大为降低多晶硅的使用量。（图1）
另一类薄膜太阳能技术则依靠碲化镉（CdTe
电池相对于晶体硅电池而言转换效率较低，但是整体成本具有优势，特别是近年来多晶硅原材料价格的暴涨使得这个优势更为明显。除了硅基薄膜电池以外，还有CdTe（碲化镉）和CIGS（铜铟镓硒）等薄膜技术，一些先进
化铜(镓)的二硒化物(CIS或CIGS)都是较强的吸光材料，只需要1mm的厚度。这样一来，材料成本就可以大大降低了。薄膜太阳能电池也能够采用非晶硅(a-Si)来制造，非晶硅是第一种实现商用太阳能产品的
薄膜材料。这种太阳能电池如果采用非晶体硅基材料或者CdTe 和CIGS时，能量转换效率在10%到18%之间。薄膜太阳能电池的产量从2006年的181MW增长到2007年的400MW，增长了一倍多，占据
转化太阳能，这种技术的效率要高于CIGS，太阳光转化率超过20%。但是这些电池比薄膜光伏电池要厚，限制了应用范围。同时由于硅的价格近年来大涨，成本也高于薄膜光伏电池。
6月17日消息，本周一，IBM公司与日本半导体加工厂商东京应用化学(TOK)联合宣布，未来二家公司将共同开发高效太阳能技术，以削减用于制造清洁能源的成本。 据国外媒体报道，IBM与日本半导体
IBM与日本半导体加工企业东京应用化学(TOK)联合宣布,将共同开发高效太阳能技术,以降低清洁能源的生产成本. 这是大科技公司之间进入新兴光伏太阳能产品领域的最新行动,光伏太阳能在将太阳光
转化为电的同时,不会释放出污染物.IBM将贡献出在电池制造方面的技术,而TOK则提供自己在半导体及LCD面板镀膜方面的技术. 两家公司瞄准开发出可使薄膜太阳能模块效率提高一倍的技术.IBM研发部门
