CIGS电池

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提高光伏产品市场准入标准 “领跑者”计划引导光伏技术进步和产业升级来源:中金在线 发布时间:2015-06-11 23:59:59

组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%。而领跑者先进技术产品的标准则更为严格:多晶硅电池
。《意见》规定,光伏发电项目新采购的光伏组件应满足《光伏制造行业规范条件》(2015年)相关产品技术指标要求。其中,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%;高倍聚光光伏

分布式光伏补贴力度加大 薄膜太阳能市场前景广阔来源:世纪新能源网 发布时间:2015-06-11 23:59:59

余电上网收益远低于自发自用收益依然阻碍着分布式光伏的发展,业内人士表示,新出台的补贴政策有望改善这一状况。当前太阳能电池主要有晶硅(包括单/多晶硅)和薄膜(包括非晶硅/铜铟镓硒/砷化镓)两种不同的
占据太阳能发电市场的40%以上,届时薄膜和晶体硅的市场规模将达到伯仲之间。如今,我国薄膜太阳能技术已经达到国际领先水平,其中汉能薄膜发电(00566.HK)的铜铟镓硒(CIGS)组件最高转化率已达21%。据

光伏“领跑者”计划明确标准:技术最靠谱来源: 发布时间:2015-06-11 15:22:59

技术研发创新和一系列全球性的并购和整合,掌握了世界最先进的薄膜太阳能发电技术。在过去的两年中,汉能已先后并购铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池制造商Solibro、美国领先的太阳能企业MiaSol和Global
每年安排专门的市场规模实施该计划,要求项目采用先进技术产品。《意见》指出,2015年,领跑者先进技术产品应达到以下指标:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍

光伏领跑者计划发布利好 龙头股进入配置窗口期来源:汉能薄膜发电 发布时间:2015-06-11 09:48:51

16.5%和17%以上,高倍聚光光伏组件达到30%以上,硅基、CIGS(铜铟镓硒)、CdTe(碲化镉)及其他薄膜电池组件转化率分别达到12%、13%、13%和12%以上。这给技术领先的龙头企业发展提供一个
领跑者计划实施后行业竞争将更加激烈,由单纯规模扩张的比拼向技术和质量的竞逐转换。可以看到,为淘汰落后技术和产能,此次领跑者计划对光伏组件的转化率提出了较高的要求。多晶硅和单晶硅电池组件转换效率分别要达到

光伏“领跑者”计划明确标准:拿技术说话来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2015-06-10 10:50:10

,汉能已通过技术研发创新和一系列全球性的并购和整合,掌握了世界最先进的薄膜太阳能发电技术。在过去的两年中,汉能已先后并购铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池制造商Solibro、美国领先的太阳能企业MiaSol和
,国家能源局将每年安排专门的市场规模实施该计划,要求项目采用先进技术产品。《意见》指出,2015年,领跑者先进技术产品应达到以下指标:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和

国家建立光伏产品准入标准循环递进机制来源:中电新闻网 发布时间:2015-06-09 11:31:46

组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率

我国逐步建立光伏产品准入标准循环递进机制来源:中电新闻网 发布时间:2015-06-09 10:58:54

组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年

国家能源局、工信部、国家认监委 关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见来源: 发布时间:2015-06-09 08:56:59

CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率分别不高于2.5%、3%和5%,之后

三部委联发促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见来源:国家能源局 工业和信息化部 国家认监委 发布时间:2015-06-09 07:32:12

CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率分别不高于2.5%、3%和5%,之后

三部委:2015年后255以下光伏组件或不能获得补贴来源:世纪新能源网 发布时间:2015-06-08 23:59:59

CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自光伏电站项目投产运行之日起,一年内衰减率分别不高于2.5%、3%和