BC硅片
已降至70元/kg以下;新建5000吨级电子级多晶硅工厂，高品质产品已在半导体领域批量应用。硅片方面，2016年产量超过63GW，同比增长11%以上，每片加工成本下降至1.4元以下。“光伏市场发生布局
多次打破世界纪录。比如刷新大面积BC电池世界纪录，光电转换率达23.5%;60片单晶硅功率高达343.95GW创单晶组件功率世界纪录等等。我国整个光伏产业技术进步显著，多晶硅方面，新建5千吨级电子级
成本已降至70元/kg以下;新建5000吨级电子级多晶硅工厂，高品质产品已在半导体领域批量应用。硅片方面，2016年产量超过63GW，同比增长11%以上，每片加工成本下降至1.4元以下。
光伏市场发生
，中国企业多次打破世界纪录。比如刷新大面积BC电池世界纪录，光电转换率达23.5%;60片单晶硅功率高达343.95GW创单晶组件功率世界纪录等等。我国整个光伏产业技术进步显著，多晶硅方面，新建5千吨级
多晶硅产量约19.4万吨，同比增长17.6%，全年太阳能级多晶硅进口量约13.6万吨(含硅锭);部分企业成本已降至70元/kg以下;新建5000吨级电子级多晶硅工厂，高品质产品已在半导体领域批量应用。硅片
王勃华分析称，2016年是光伏企业近几年盈利最好的一年。王勃华表示，我国光伏行业的技术不断突破，中国企业多次打破世界纪录。比如刷新大面积BC电池世界纪录，光电转换率达23.5%;60片单晶硅功率高达
由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命，使其占据全球光伏市场约90%份额。理论上讲，不管是掺硼的P型硅片还是掺磷的N型硅片都可以用来制备太阳能电池。但由于太阳能电池
相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度，导致材料性能变差。所以与在N型硅片上形成掺硼p+发射结在工业生产中比较困难。然而，地面应用并不存在宇宙射线辐照的问题，而且随着技术的发展，原来困扰N型晶硅电池的
年建设其首家250MW硅片生产厂，未来计划扩大到1GW，将该技术带到市场。中国光伏制造商天合光能利用先进的Honey Plus加工技术，主要技术包括在批量生产设备上背面钝化及局部背面电场，在标准
的主流光伏制造商加大了对高效电池的研发与投入，并各自取得不同程度的突破。高效电池研发，将以组件量产定胜负随着背接触（BC）、异质结（HIT）、双面（BC）等电池新结构的开发及激光、离子注入、双面钝化等
主流的P型太阳能电池技术因为先发优势走在了前端。但是，当技术走到瓶颈，非主流电池技术获得突破的时候，鹿死谁手，尚未可知。事实上，这一主流之争，现在已经初见端倪。
因为N型硅片制备的太阳能电池
开路电压和填充因子较低，并且长期使用或存放时N型硅片太阳能电池性能会有所退化，而在P型硅片上形成N+发射结比在N型硅片上形成P+发射结在工业化生产上更容易实现。目前主流P型硅太阳能电池转换效率已经可以
。5、背接触背结（BC-BJ）太阳电池2008年德国Fraunhofer实验室的F．Granek，M．Hermle等人提出背接触背结太阳电池结构，在lcm N型FZ硅片上得到了21．3％ 效率。该电池
时候，鹿死谁手，尚未可知。事实上，这一主流之争，现在已经初见端倪。因为N型硅片制备的太阳能电池开路电压和填充因子较低，并且长期使用或存放时N型硅片太阳能电池性能会有所退化，而在P型硅片上形成N+发射结
面也有利于薄电池集成到组件中）方面具有很多固有的优点。Sunpower公司的结果证明这种方法有高效率的潜力，效率高达24.2%。一旦薄硅片加工成为工业标准，BC电池就可能取代正面电池的市场份额。按
主流制造方法是在约180m厚的晶体Si硅片上加工太阳能电池，在正面有Ag金属栅，背面完全覆盖Al-BSF。由于金属化（浆料、丝网）方面的进步，工业生产中似乎能达到18.5-19%的效率。下一步，我们
Back-Junction，简称BC-BJ)太阳能电池。其中铝硅合金发射极的金属化和背电极结构的制作都是使用网印技术完成的。 在n型硅片上制作的4片BC-BJ电池，其铝硅合金发射极的接触使用丝网印刷技术实现。图片来源
交错背板触点（i-BC）工艺。因为硅片的厚度有所减少，其相应的电池片及组件的组装流程也将重新研发。IMEC太阳能项目总监Jef Poortmans说：鉴于我们有着超过25年的硅基太阳能电池片生产经验，在
成功的合作伙伴。IMEC项目将分两个方面进行，其一是对完全使用硅料制成硅片，进而再制作成的电池片的研究，以及对外延片的研究。而在晶体硅电池片研究项目中，主要的课题是探讨在生产过程中如何提升工艺技术，以
