ALD设备
为新品剪彩。三一硅能装备公司总经理夏益民详细介绍了这款经过两年研发与验证的设备。它采用了先进的等离子体增强时间型ALD+快速水冷技术，不仅显著提升了组件功率超过5W，还将镀膜时间大幅缩短至10分钟，且
6月14日，SNEC
2024进入第二天，三一硅能再次成为焦点。继“腾耀”TOPCon新品组件成功发布后，三一硅能再度聚焦光伏核心工艺，推出全新TOPCon边缘钝化设备和高效电池新品，以技术创新
电池提效树立新里程碑，行业头部企业量产组件功率平均提升4W以上，最高可提升超5.9W。理想晶延EPD设备，采用空间型原子层沉积ALD技术沉积40-70nm氧化铝薄膜，可实现电池切割面良好覆盖，具有表面
6月13日，一场科技与绿色能源碰撞的国际盛宴，SNEC第十七届光伏展在上海国家会展中心正式拉开帷幕。理想晶延作为行业薄膜沉积高端装备创新先行者，携公司自主研制的系列镀膜设备产品及技术方案精彩亮相
当前，围绕N型各技术路线的设备、材料、工艺，已成为全产业链关注的焦点。近年来，中国光伏行业持续推动技术迭代与生产力升级，迎来了组件功率大幅提升和产品价值深度发展的关键时期。根据中国光伏协会数据显示
光伏装备技术为核心，共同探讨装备技术的发展及应用解决方案，促进光伏产业的持续创新和发展。阿特斯阳光电力集团股份有限公司高级副总裁张光春在会上提出，光伏设备企业要积极加快工艺优化和设备升级，以适应
。钝化层制备设备：CVD和ALD设备是制备钝化层的主要设备。随着工艺的优化，这些设备的操作更加简便，生产效率也得到提升。自动化生产线：为了满足大规模生产的需求，自动化生产线的应用越来越广泛。通过集成
近日，微导纳米（SH:688147）在接受投资者调研时表示，目前公司应用于XBC电池的专用设备于2023年度顺利获得客户验收，且在爱旭、隆基已投产和拟投产的XBC电池生产线中，公司ALD产品占比保持
领先。在钙钛矿电池领域，公司首台应用于钙钛矿晶硅叠层电池管式ALD量产设备已取得客户验收，应用于钙钛矿电池的板式ALD设备获得行业头部客户百兆瓦级量产设备订单。公司储备的钙钛矿等新一代电池技术还在持续开发中，目前占比较小，未来将紧跟下游行业技术发展动态，持续推进相关技术的产业化进程。
电池侧壁钝化 (Edge Passivation Deposition EPD)设备正式整装出货。资料显示，ALD设备配套公司自主研制的管式PECVD镀膜设备、PE-Poly Si设备、低压扩散
室温保持在25°C时，设备的温度为55 ±
5°C。使用DC-TMPS和MeO-2PACz锚定的ALD
ITO的PSCs在操作2000小时后分别保留了初始PCE的98.5%和93.6%，而仅使用
24.6%)和23.2%的PCE。在标准照明条件下，经过1000小时湿热测试和在85°C下进行1200小时最大功率点跟踪操作后，设备分别保持了98.9和98.2%的初始PCE三、结果与讨论要点1：SAM在
3月15日，微导纳米（SH:688147）发布公告，公司近日与光伏龙头企业签署设备销售合同，根据合同约定，公司拟向该企业销售全自动ALD钝化设备及PE-Poly设备，合同金额合计约5.2亿元（含税
ALD设备。在这一领域中，迈为股份和捷佳伟创等上市公司发挥着重要的作用。二、TOPCon电池TOPCon电池，即隧穿氧化层钝化接触电池，它通过在N型硅片背面依次沉积超薄的氧化硅层和多晶硅薄膜，达到背面钝化
采用BSF和PERC技术路线。转化效率：PERC电池目前已达到23.5%的量产转换效率，接近24.5%的理论极限值。该电池的核心技术在于钝化膜的制造，通过薄膜沉积工艺来实现，关键设备包括PECVD和
金属氧化物作为电子传输层。这一步骤通常通过旋涂、喷雾热解或原子层沉积(ALD)等方法实现。介孔层沉积：在致密层上沉积一层介孔TiO2或其他氧化物，以增加电子传输层与钙钛矿活性层的接触面积。介孔层可以
沉积。电极制备顶部电极蒸镀：在空穴传输层上蒸镀一层金属电极，如金(Au)或银(Ag)。这一步通常在真空蒸镀设备中进行，以确保金属层的质量和均匀性。边缘刻蚀：去除电池边缘的多余材料，以定义电池的有效区域
