ALD设备
设备：背面钝化处理和激光开槽设备。 背钝化方面，有PECVD和ALD两种技术路线，PECVD的代表厂商是梅耶博格;ALD的代表厂商是国内的江苏微导以及理想能源。PECVD路线的优势是在同一
12月5日, 全球领先的薄膜沉积和蚀刻设备制造商江苏微导纳米装备科技有限公司和澳大利亚新南威尔士大学宣布联合开发采用新型原子层沉积(ALD)技术的下一代高效太阳能电池。这项工作是在新型原子级表面
选择。在这个项目中，微导将向新南威尔士大学捐赠一个中试规模的ALD反应器，该反应器将安装在位于肯辛顿校区的太阳能工业研究中心(SIRF)。Hoex教授说：我们拥有了这个高产能ALD设备后，将能够快速地将
(ALD)技术形成的Al2O3层被用于进行背面钝化。沉积形成的Al2O3层还要进行一次后沉积退火，这一步被集成在随后的背 面SiNx减反射膜(ARC)沉积工艺上，采用的是管式等离子增强化学 气相沉积
相对于LID在测试多晶硅电池衰减性能方面的优势。
对于组件衰减测试，CID 方法还被 用于替代室内或室外光浸润 方法，采 用韩华Q-CELLS的设备和参数。图五显示了 多晶硅PERC组件和传统
，并多次向领跑者项目供应了一批高效组件。就技术优势而言，晋能科技PERC组件采用先进的ALD背面Al2O3钝化工艺，背面采用皮秒激光开槽，降低激光对硅片的损伤;组件首年光衰还低于1.5%，优于常规
解决的痛点。该公司总经理杨立友博士表示，公司正通过低温银浆、ITO靶材、制绒的添加剂、CVD的设备和磁控溅射设备等几大方面，寻求成本的突破性下降。目前来看，难度并不是很高。
对于瞄准全球量产光伏制造
原子层沉积设备在硅片上制备了Al2O3薄膜，发现其可有效改善钝化性能使其有效少子寿命达到100s以上，将表面复合速率降低到100cm/s以下，说明Al2O3薄膜具有良好的钝化性能。文献中采用PECVD
(ALD)/90nm SiOx(PECVD)叠层钝化的电池效率也达到了21.3%。文献中首次将Al2O3钝化用于125mm125mm大面积3cm P型直拉单晶硅上，采用15nmAl2O3(ALD
转换效率的关键装备。先导的ALD 背钝化设备、MBB多栅串焊机等均达到了全球领先的水平，结合自主研发的MES系统，可为光伏企业打造无人车间。 技术推动行业发展，通威与先导的强强联合，将进一步提升中国光伏产业的技术迭代，共同促进行业健康良性发展。
重要方向。
图：基于AlOX的背钝化技术的市场份额预测(来源：ITRPV 2018)
表：PECVD与ALD Al2O3钝化膜制备工艺比较
量产设备的出现也是PERC实现产业化不可或缺
技术。背面抛光并不需要添加专门的工艺和设备。只需在清洗时改变用于蚀刻的化学试剂。在这个步骤中，可以加强化学试剂以达到理想的表面粗糙度。
蚀刻成都也取决于介质膜沉积的工艺。如ALD沉积膜的质量非常好
。大量研发团队已经通过实验证明AI2O3薄膜或是AI2O3/SiNx介质叠层能大幅度改善钝化效果，尤其是对于P型硅表面，从而替代常用的高温方法，后者将硅片放置于高温热氧工艺生长设备上进行混合气氛退火以
形成表面钝化。对AI2O3钝化硅表面的物理机制的理解重新激起了硅光伏研究界对PERC的研发兴趣。在前几年，得益于高产能光伏专用的基于多种沉积方法--例如空间原子层沉积(ALD)方法和等离子增强化学沉积
金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。
PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术，而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔
设备
多晶PERC的光衰机理更为复杂。目前认为，多晶PERC的光衰与电池的热过程密切相关，因此也称为光照热衰减(Light elevated Temperature Induce
，PERC) 电池是一种发射极与背面双面钝化的太阳电池。通过ALD技术，在电池片背表面沉积一层Al2O3，然后再使用等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical
制作流程一般为：制绒- 扩散-刻蚀-ALD- 正面PECVD- 背面PECVD- 激光开槽- 丝网印刷。随着PERC 电池的量产，在EL测试中，EL 测试仪总能测出正面发暗的电池片，如图2 所示
