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用CSS法制备的CdTe薄膜,当衬底温度升高时,薄膜串联电阻降低2个数量级,这是由于沿H002、C111优势晶向的增长和晶粒尺寸的增加,引起自由载流子迁移率增加的结果。
当蒸发
温度由550C增加到650C时,所获得的薄膜晶粒尺寸减小,使薄膜的串联电阻增加。当蒸发温度高于650C时,电子输运沿H002、C111优势晶向和晶粒尺寸的增加占主要地位,这时由于迁移率增加,从而引起薄膜
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