黑硅PERC
PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。除此之外，晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发，开始进入认证阶段。随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低成本、更
称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching
，黑硅技术的优势还在于不与现有的电池技术冲突，可以和PERC等电池技术叠加使用。汪晨表示，保利协鑫将继续开拓以多晶为主导的硅片市场，通过多种技术方案为多晶电池带来更大的增益。未来会视市场需求陆续扩大单晶
技术，可彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。再加上硅片的边缘改善、尺寸加大等措施，鑫多晶S4将为客户提供60片组件功率输出增加5.5W的解决方案。未来，保利协鑫
技术，可彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。再加上硅片的边缘改善、尺寸加大等措施，鑫多晶S4将为客户提供60片组件功率输出增加5.5W的解决方案。未来，保利协鑫
光衰、黑边等问题，提高了后端组件的输出功率。来自保利协鑫客户的数据显示，基于鑫多晶 S4的组件输出功率可以增加5.5W（60片型）。除了更高效的硅片产品，黑硅技术及配套的金刚线切多晶片也是多晶领域的
提升整体电性能。
特别值得一提的是，当电池正面和背面分别集成黑硅技术和PERC技术的情况下，电池效率的实际提升达到了1+12的效果。这与以往电池片正或背面多项技术集成时出现的提升效果无法叠加是不同的
反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
效率，从而提升整体电性能。
特别值得一提的是，当电池正面和背面分别集成黑硅技术和PERC技术的情况下，电池效率的实际提升达到了1+12的效果。这与以往电池片正面或背面多项技术集成时出现的提升效果无法叠加是
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
背面局部接触的效果。背面PERC结构将降低背面复合速率，改善长波吸收效率，从而提升整体电性能。特别值得一提的是，当电池正面和背面分别集成黑硅技术和PERC技术的情况下，电池效率的实际提升达到了1+12
电池组件制造基地，加强技术研发，走差异化产品路线。推动PERC、黑硅及异质结电池量产，实现金刚组件、半片组件、超大组件及双玻组件大规模推广。近期其多晶光伏组件已顺利通过中国质量认证中心(CQC)的一级能
侧重，逐步实现战略发展目标。在高端制造业务发展方面，协鑫集成表示将以信息化推动高端制造工业4.0建设，打造智能化电池组件制造基地，加强技术研发，走差异化产品路线。推动PERC、黑硅及异质结电池量产，实现
%。 公司表示，未来将在高端制造业务方面进一步发展，以信息化推动高端制造工业4.0建设，打造智能化电池组件制造基地，加强技术研发，走差异化产品路线。推动PERC、黑硅及异质结电池量产，实现金刚组件
多晶的提升空间仍然不小，当多晶也采取诸如连续加料铸锭、黑硅电池工艺配合金刚线切多晶、推动多晶PERC电池等措施时，多晶的性价比优势又会进一步扩大。此外，在效率方面，也不总是单晶占优势，前几年我们都在
优势；相比较而言，多晶产品产业化程度高，通过技术创新、规模效应和产业推动，多晶凭借高性价比一直占据市场主流。从降本措施看，单晶这几年在连续拉晶、金刚线切割、PERC电池工艺等方面已经也已经潜力挖尽，而
