黑硅PERC
行业平均水平1~2个档。在钱晶看来，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC背面钝化技术，以及金钢线切多晶硅片加之黑硅表面制绒工艺处理技术都将让多晶的成本优势继续扩大。扩产高效产能 6.5GW出货量预期可
光学二次利用技术，电路优化增效技,组件新结构技术,2年内实现60P多晶组件300W量产，5年内实现60P多晶组件330W量产。同时，发展黑硅技术,通过特殊的表面陷光处理，让多晶组件具有更高的光学利用率
电池工艺等方面已经也已经潜力挖尽，而多晶的提升空间仍然不小，当多晶也采取诸如连续加料铸锭、黑硅电池工艺配合金刚线切多晶、推动多晶PERC电池等措施时，多晶的性价比优势又会进一步扩大。此外，在效率方面，也
，单晶的技术优势一直没有转化为产业优势;相比较而言，多晶产品产业化程度高，通过技术创新、规模效应和产业推动，多晶凭借高性价比一直占据市场主流。从降本措施看，单晶这几年在连续拉晶、金刚线切割、PERC
随着去年下半年单晶硅片的让利抢占市场效果显著，多晶硅片庞大的产能也欲以金刚线切降本以扳回一城。这样的热潮在各大垂直整合厂近日的财报会议也可见一斑，市场讨论金刚线切多晶硅片以及黑硅技术的热度又再
燃起。虽太阳能业界探讨金刚线切多晶硅片已行之有年，但过于光亮的硅片会让电池片外观产生线痕问题、也会因更高的反射率而降低转换效率，故须再多加一道表面制绒的工艺处理，业界普遍称之为黑硅技术。其中又以干法制绒的
方面，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC的背面钝化成熟技术，还有多晶金钢线切降本加之黑硅表面制绒工艺处理技术结合会让多晶的成本优势继续扩大。晶科的目标是单多晶会同时发展，不是我们不做单晶，而是我们
技术发展和成本方面，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC的背面钝化成熟技术，还有多晶金钢线切降本加之黑硅表面制绒工艺处理技术结合会让多晶的成本优势继续扩大。晶科的目标是单多晶会同时发展，不是我们不做单晶，而是我们要给客户行业最好的单晶，就像我们给客户行业最好的多晶一样。
反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
至少约1%，更表现在相同的PERC工艺条件下，相比各自的普通工艺电池，单晶电池转化效率会进一步提高约0.6%～1%，而多晶电池转化效率仅提高约0.5%。显然，单晶转换效率的提高更具优势和潜力，这同样
切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
越来越小。
四、电池成本对比
单晶的转换效率高于多晶，这不仅表现在普通工艺单晶电池的转化效率高于多晶电池至少约1%，更表现在相同的PERC工艺条件下，相比各自的普通工艺电池，单晶电池转化效率会进一步
大幅下降，下降幅度可达20%左右，导致单晶、多晶硅片的成本差在0.25元/Wp左右。
金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶
、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺上提升效率0.2～0.3%，干法可提升效率0.5～0.8%。
图4 多晶硅片技术发展路线图
至于铸锭成本方面
/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺
锭杂质控制技术提升、树脂线质量提升和价格下降，金刚线切多晶硅片也将逐步规模化，带来多晶硅片成本的大幅下降，下降幅度可达20%左右，导致单晶、多晶硅片的成本差在0.25元/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅
制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺上提升效率0.2～0.3%，干法可
、单晶、薄膜三足鼎立，暂时谁也无法一统光伏江湖。但是高效坩埚、黑硅电池、PERC电池以及各种辅材技术的提高将有助于提高多晶硅片的效率，铸锭装料量的增加、金刚线切片在多晶的应用将有助于降低多晶硅片的成本
成果，1366Technologies成功将多晶PERC电池均效提升至19.1%。此项新技术已获取德国弗莱堡（Freiburg）市弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（FraunhoferISE）认证客户使用
