黑硅PERC

认为，多晶硅片通过黑硅技术的应用推广，在未来五到十年内还将占领市场主导地位。 万跃鹏表示，黑硅技术应用于金刚线切硅片制绒将成为未来多晶硅片的一个发展方向。金刚线切割多晶，可以使单位重量出片数增加约17
%，硅片成本下降约15%(0.4-0.6元/片)，保持多晶硅片在成本上的优势;黑硅技术则能有效提高组件功率，其中干法(RIE)黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%，处于实验阶段的湿法(MCCE

、双玻组件、金刚双片 组件等新产品。另外黑硅电池组件、PERC电池组件、N型双面电池组件也即将陆续量，以上产品的逐一量产将为协鑫集成带来新的利润增长点，也是为市场提供高效组件的有效支撑。目前，封装后组件效率和

在过去5年，单晶与多晶的成本差距不断缩小，转换效率优势不断扩大。为此，多晶技术也实现了多重突破，从类单晶到PERC电池到金刚线切片，再到黑硅技术，一切的进步都是为了将转换效率向单晶靠拢。而乐叶光伏坚持

市场的多晶产品构成了压力，多晶技术急需取得新的突破。除了黑硅技术和金刚线切片工艺，多晶技术还可以继续加大铸锭尺寸和硅片尺寸，并研究PERC电池技术的应用。如今，已有企业应用了多晶黑硅片和PERC技术

黑硅技术为例，从批量实验片数据来看，电池效率可提升0.2%以上。而等离子刻蚀技术则可以提升0.5%以上。金善明进一步指出，将黑硅绒面的多晶硅片集成PERC技术后，可实现1+12的效果，带来更大的电池性能增益。

技术还可以继续加大铸锭尺寸和硅片尺寸，并研究PERC电池技术的应用。如今，已有企业应用了多晶黑硅片和PERC技术，量产后可以达到20.5%的转换效率，说明这一技术具备很大的应用前景。在铸锭炉升级方面

PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。除此之外，晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发，开始进入认证阶段。随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低成本、更
称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching

PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。 除此之外，晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发，开始进入认证阶段。 随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低
黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法(Reactive Ion Etching，RIE)技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE