高纯单晶硅

　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率

、射频溅射法等。 2．4．1单源真空蒸发法 首先用元素合成法制备CulnSe2源材料。制法是，按化学计量比称取高纯的（5N）Cu、In、Se2粉未。一般Se稍过量（0.02at％）以获得p
法 将高纯的Cu、In、Se分别放入三个独立的源中，并用相应的传感器系统，监视各自的蒸发速率，然后反馈到各自的蒸发源控制器中，控制各自的蒸发速率，从而获得理想的薄膜。 衬底温度一般

输出了6条MW级生产线。美、日各公司还用自己的产品分别安装了室外发电的试验电站，最大的有100kW容量。在80年代中期，世界上太阳电他的总销售量中非晶硅占有40％，出现非晶硅、多晶硅和单晶硅三足鼎立
，价格低廉。硅薄膜厚度不到1μm，昂贵的纯硅材料用量很少。制作工艺为低温工艺（100一300°C），生产的耗电量小，能量回收时间短）（2）易于形成大规模生产能力。这是因为核心工艺适合制作特大面积无结构

一定量的氧，对大多数半导体器件来说影响不大，但对高效太阳电池，氧沉淀物是复合中心，从而降低材料少子寿命。区熔法可以获得高纯无缺陷单晶。常规采用内圆切割（ID）法将硅锭切成硅片，该过程有50％的硅材料损耗
光电他的报道出现于1941年。贝尔实验室Chapin等人1954年开发出效率为6％的单晶硅光电池，现代硅太阳电池时代从此开始。硅太阳电他于1958年首先在航天器上得到应用。在随后10多年里，硅太阳电池在

，光电转换效率达18%。;u!fivdn m太阳级硅材料紧缺限制了全球光伏快速增长。各国包括中国的高纯硅扩产计划，一般要到2008年投产，在此之前，高纯硅原料有继续上涨的可能。但到2008年以后

见。日本高纯硅公司更是直截了当：不培养竞争对手。　　“咱自己干!”时任峨眉半导体材料厂主管科研开发的副厂长张惠国和他的同事请缨。从1987年到2000年，多晶硅生产的技术攻关试验历时十几年，导热油循环冷却
年1月，乐山市委书记于伟再次召开多晶硅项目专题会议———目标锁定：中国“硅谷”；突破口：硅材料产业。其路径选择为：电力+工业　　硅＋液态氯→多晶硅→单晶硅→硅　　片→太阳能光伏产品或电子元件，在统筹中

采购的人山人海，来自世界各地200多家知名太阳能光伏、光热行业厂商在此展示了他们的最新产品和技术。给太阳能行业提供一个多层次高规模的交流合作出口平台，得到了行业领导和专家的认可。主席台上主持开幕的领导
研究所所长崔容强教授、深圳市人民政府政协副主席李连和、深圳市太阳能学会张囡囡秘书长，参加的领导有：中国科学院金属研究所黄荣芳、广州有色金属研究院陈少纯院长、大连理工大学材料科学与工程潭毅教授、深圳市