高效异质结太阳能

索比光伏网讯:弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(FraunhoferISE)日前证实日本Kaneka株式会社与Imec联合研制的6寸异质结硅基太阳能电池的效率达到22.68%。该电池正面采用透明氧化层
，并在之上电镀铜网格电极，并以此取代传统的银浆网印工艺，公司称这一技术可以在提高效率的同时降低生产成本。该太阳能电池由Kaneka位于大阪的实验室开发，所使用的电镀技术改进自Imec的铜电镀技术。双方曾在

，第二代光伏发电技术固有缺点，人们相继提出发展第三代光伏发电技术许多设想。 在中国发展的第三代光伏发电技术=太阳能炼硅+跟踪+低倍聚光+高效聚光硅电池。 这首先是因为新提出的理念，是要进一步提高
散射光占总光量的30%~40%。两者相较，我们更赞成发展低倍聚光。 当代最有希望的，有可能和火力发电、核能发电相竞争的技术，是太阳能炼硅+跟踪+低倍聚光+高效硅基聚光电池，或称为第三代光伏发电

（1974）也是为通讯卫星开发的。其AM0时电池效率15％，AMI时＞18％。这种技术后来被高效电他和工业化电池普遍采用。（4）异质结太阳电池即不同半导体材料在一起形成的太阳电池J瞩SnO／Si，In20
索比光伏网讯:晶硅太阳能电池在70年代初引入地面应用，在石油危机和降低成本的推动下，太阳能电池开始了一个蓬勃发展时期，这个时期不但出现了许多新型电池，而且引入许多新技术。例如：（1）背表面电场

HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性（0.4V附近）的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量
温度依存性越小。也就是说，HIT太阳能光伏电池的高效率化技术中的这种钝化技术的开发（即高Voc化）带来了温度特性的提高。由于新电池在温度上升时发电量的损失降低，预计它的年发电量将比传统晶硅太阳能电池提升44%。　　图四HIT太阳能光伏电池温度系数的Voc依存性

索比光伏网讯:HIT太阳能光伏电池的伏安曲线分析HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性(0.4V附近)的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而

、薄膜电池用TCO玻璃基板等关键配套材料制备技术等。（二）器件方向太阳能发电效率的提高和生产成本的降低将直接影响发电成本。晶体硅电池正朝着高效率、薄片化和低成本三个方向进行改进；低能耗、低成本的薄膜
，在太阳能科技领域分解出19项研究内容，其中：材料方向2项，器件方向8项，系统方向9项，装备方向研究内容分布在前三项中。1、材料方向（1）高效节能多晶硅材料大规模清洁生产关键技术研究提升改良西门子工艺

界面的整块异质结。引入这一相分离结构，是因为有机薄膜太阳能电池经过了激励子（exciter）的扩散。OTFSC首先是由共轭高分子或者电子受体分子的光吸收，产生激励子。然后，p型或n型激励子，在具有整块
设置p-n接合界面。从而，不是二元的平面接合，在薄膜内部构建微细的相分离，因此，藉增大接合界面面积的整块异质结结构，可大幅度提高效率。空穴与电子一旦生成，空穴在共轭高分子的分子间，电子在电子受体分子的分子

4月10日，高效异质结太阳能电池及光伏组件生产项目在南通开发区签约落户。开发区党工委书记屈宝贤参加签约仪式，开发区管委会主任羌强，中国国际科技促进会理事、上海太阳能
科技股份有限公司研究院院长彭德香和项目法人代表许睿分别代表项目双方在项目投资协议书上签字。该光伏项目总投资46亿元，建成后将年产700MW太阳能电池和500MW高效光伏组件，全部达产后将形成年70亿元以上的销售额。

索比光伏网讯:据南通当地媒体报道，今4月10日，高效异质结太阳能电池及组件生产项目在南通开发区签约落户。南通开发区党工委书记屈宝贤参加签约仪式，开发区管委会主任羌强，中国国际科技促进会
理事、上海太阳能科技股份有限公司研究院院长彭德香和项目法人代表许睿分别代表项目双方在项目投资协议书上签字。该项目总投资46亿元，建成后将年产700MW太阳电池和500MW高效太阳能组件，全部达产后将形成年70亿元以上的销售额。

和西雅图（美国华盛顿）水手棒球队联合宣布，将会在该棒球队主场Safeco Field体育场安装太阳能发电系统，系统将由松下168块内置薄层（HIT）异质结双层太阳能电池板组成。HIT双层太阳能电池板是