法生产多晶硅的新工艺和新设备。一该工艺的设计是创新的目前我国多晶硅生产工艺仍然是改良西门子法占主导约占80--85%,利用甲硅烷生产棒状和颗粒状多晶硅估计只有5-15%,而利用乙硅烷法生产多晶硅工艺
硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米(cm);基硼电阻率2600欧姆厘米(cm);碳浓度;n型少数
硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米(cm);基硼电阻率2600欧姆厘米(cm);碳浓度;n型少数
法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米( cm);基硼电阻率2600欧姆厘米(cm);碳浓度;n型少数
)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆 厘米( cm);基硼电阻率2600欧姆 厘米( cm);碳浓度
Polysilicon。 被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅ink"光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 被调查产品电学参数为:基磷
。 被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅ink"光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 被调查产品电学参数为:基磷
:Solar-Grade Polysilicon。被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学
、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆 厘米( cm);基硼电阻率2600欧姆 厘米( cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度
日,商务部发布年度第70号公告,决定对原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅反补贴立案调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》:28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级
)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆. 厘米(. cm);基硼电阻率2600欧姆. 厘米