2018年6月27日,我国首批铜铟镓(CIG)靶材在MiaSol高端装备集团泉州靶材示范工厂成功交付出货,标志着我国在CIG靶材生产和销售上正式开启国产化进程。此举对填补国内CIG靶材领域的空白
异质结超高效组件或将进一步加速度电成本的大幅降低。为加速推进这一超高效技术成本的下降,晋能科技正加速从银浆、ITO靶材、制绒添加剂和CVD等专用设备等多途径着手。在异质结技术降本实现之后,加上可预期的规模化效应,未来这一超高效技术在成本上可与单晶PERC单瓦成本持平。
通过结合多主栅、叠瓦等技术,可以令低温银浆的成本降低50%-70%。其次,ITO靶材、制绒添加剂和CVD等专用设备也将有较大的降幅空间。 在晋能科技看来,异质结技术降本实现之后,再加上可预期的规模化
正从硅片、导电银浆、TCO靶材、制绒添加剂、设备等多方面入手。预计2018年,HJT产品整体成本与常规多晶的差距在20%,未来有望降低到10%以内。 在即将开幕的SNEC展会上,晋能科技还将携高效多晶
电池的降本方向主要从硅片、导电银浆、TCO靶材、制绒添加剂、设备等方面入手,预计2018年HJT产品整体成本与常规多晶的差距在20%,未来有望降低到10%以内。HJT在技术领跑者竞争中的表现值得期待
、TCO靶材、制绒添加剂、设备等方面入手,预计2018年HJT产品整体成本与常规多晶的差距在20%,未来有望降低到10%以内。HJT在技术领跑者竞争中的表现值得期待。 HJT技术是推动光伏发电尽快
重要因素之一即成本问题,据杨立友博士介绍,HIT电池BOM成本前四项为硅片、导电银浆、靶材、制绒添加剂。针对这几个高成本部分,可进行专项降本,包括降低原材料的消耗量、关键设备的国产化、关键原材料的国产化
。鼓励骨干企业间加强横向合作,开展关键工艺技术联合研发和成果共享。进一步完善上游材料配套体系建设,引导材料企业加大研发投入,加快基板材料、液晶材料、光学膜、掩膜版、靶材等核心材料开发。鼓励面板企业拓展
路线的探索和布局。鼓励骨干企业间加强横向合作,开展关键工艺技术联合研发和成果共享。进一步完善上游材料配套体系建设,引导材料企业加大研发投入,加快基板材料、液晶材料、光学膜、掩膜版、靶材等核心材料开发。鼓励
已成为整个行业发展的新风向。杨立友表示:“作为产业前沿技术的风向标,晋能科技已将推动技术进步、成本下降列为今年的首要目标。针对硅片、导电银浆、靶材等高成本部分,我们已制定了专项降本计划,其中包括与供应商共同开发全新的导电银浆、不断优化耗材量等多元化举措。”