靶材
太小，低温银浆和靶材价格较高，这两大辅材都具有显著的规模效应，一旦需求放量，价格以及消耗量都有望快速下降，HIT降本路径已经更加清晰。
行业佼佼者实力不可小觑
正因为HIT产业的快速上升，银浆行业也
得到了明显的推进。苏州固锝子公司苏州晶银新材为国内银浆行业龙头，已实现HIT电池用低温银浆量产，已向包括通威在内的国内外光伏厂商供货，预计2020年产能将达到500吨，低温银浆产能可达150吨。而
PVD 是主流
TCO 薄膜主要是用作减反射层和横向运输载流子至电极的导电层。目前常用的制备方法是 PVD 和 RPD：传统 PVD 技术运用 SPUTTER 磁控溅射，使用 ITO(氧化铟锡)靶材
;RPD 技术利用特定的磁场控制 Ar 等离子体的形状，从而产生稳定、均匀、高密度的等离子体，使用 IWO(氧化铟掺钨)靶材。
短期内 TCO 薄膜沉积的主流技术是 PVD，设备产能
直接降低其价格，多主栅工艺也降低单片耗银 量;3)靶材也逐步向国产化方向努力;4)设备进口替代降低投资成本，同时设备单位处理 能力提升，有效降低单瓦成本。在提效方面，作为原材料的银浆和靶材有大幅优化
，银浆、靶材等配套耗材产业化降本启动，电池片效率24%基本稳定，良率实现阶段性提升，迈为、捷佳伟创、金辰股份、东方日升、通威、山煤等企业居功至伟。 其中尤其值得一提的是山煤国际，2019年山煤
配套：产业链供应配套进展。由于HJT工艺难度大门槛高，因此对硅料、硅片、银浆、靶材等要求更高。且因为HJT尚未量产，行业不具备规模化生产的先要条件。从目前来看，HJT所需材料仍然较高，如N型硅片售价
沉积)两种方法。
RPD(反应等离子体沉积)技术主要由日本住友重工掌握，其设备匹配自己生产IWO(氧化铟掺钨)靶材制备IWO透明导电薄膜，其采用蒸发镀膜对衬底轰击较小，IWO薄膜电学性能明显优于
PVD 制备的ITO薄膜。RPD 制备下的异质结电池总体比PVD约有0.5~1%的效率优势。松下公司采用的就是RPD工艺。住友重工持有RPD设备与IWO靶材两项专利技术，限制了该技术的发展。国内
光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池。其中光伏薄膜电池用靶材主要为方形板状，纯度要求一般在 99.99%(4N)以上，仅次于半导体用靶材。目前制备薄膜电池较为常用的溅射靶材包括铝靶
成本水平大致位于 0.6-0.7 元/W 区间，在低温银浆、设备折旧、靶材耗用等方面均有较大的降本潜力。预计 9BB 多主栅工艺对银耗的降低可节省非硅成本 0.05-0.06 元/W
。SmartWire 技术和低温银浆的国产化则有望进一步降低银浆成本。设备方面，全部国产化预计可降低折旧成本约 0.05 元/W。靶材方面单耗和价格的下降预计可降低成本约 0.01-0.02 元 /W。此外 HJT
成本水平大致位于 0.6-0.7 元/W 区间，在低温银浆、设备折旧、靶材耗用等方面均有较大的降本潜力。预计 9BB 多主栅工艺对银耗的降低可节省非硅成本 0.05-0.06 元/W
。SmartWire 技术和低温银浆的国产化则有望进一步降低银浆成本。设备方面，全部国产化预计可降低折旧成本约 0.05 元/W。靶材方面单耗和价格的下降预计可降低成本约 0.01-0.02 元 /W。此外
，单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。
太阳能电池主要包括晶硅电池和薄膜电池，靶材主要应用于薄膜太阳能电池的背电极环节以及HIT(异质结)电池的导体层。晶体硅太阳能电池按照生产工艺不同可分为硅片涂覆型
太阳能电池以及PVD工艺高转化率硅片太阳能电池，其中硅片涂覆型太阳能电池的生产不使用溅射靶材，目前靶材主要用于太阳能薄膜电池领域，而HIT作为PERC(钝化发射极及背局域接触电池)未来的替代技术，有望实现
