,上半年眉山一期7.5GW高效太阳能电池项目投产,同时启动了眉山二期7.5GW及金堂一期7.5GW高效太阳能电池项目(兼容210及以下尺寸),到2021年中通威电池片产能规模将超过40GW。爱旭股份
,电池片厂商开始相继布局具有更高效率,更低衰退率,更高发电量的N型太阳能电池技术,例如隧穿氧化钝化接触电池(TOPCon),异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。与此同时,设备厂商正在布局
HJT的主要生产工艺有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备和丝网印刷四步,其中TCO制备是生产HJT电池的第三道核心工序,高质量的TCO薄膜能有效提升HJT电池的整体转换效率。目前TCO镀膜设备
,在首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三节非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛上,捷佳伟创副总经理陈麒麟博士强调,TCO镀膜技术是推动常规异质结迈向高效异质结的关键技术。目前异质结量产
主流地位的稳固,业界也着手培育下一代电池技术的方向。如今,备受推崇的下一代主流电池技术的候选者,莫过于一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池HJT(异质结)电池。 业内普遍看好异质结未来
目前,我们所说的太阳能电池,多指硅太阳能电池,这是目前使用最广泛且可靠性和稳定性都非常出色的电池。而且转换效率也一直在提高,在大规模应用下,只要把转换效率提高0.1%,都能让光伏拥有更强的竞争力
,同时也更有利推动光伏的发展。
但是,当前的单晶硅或多晶硅太阳能电池,其实还是属于第一代太阳能电池,其转换效率虽然较高,但也存在物理极限和一些其它劣势。
仅就技术层面而言,太阳能技术已经发展到了第三代
:INDEOtec 成立于 2007 年,是一家专注于薄膜太阳能电池 PECVD 工艺设备研发、生产和销售的瑞士设备生产商。公司已开发出专用于 HJT 非晶硅薄膜沉积的 OCTOPUS 系列设备
发生化学反应,沉积成膜。PECVD 在传统晶硅电池中主要用于钝化层和减反层薄膜的沉积,薄膜厚 度均大于 100 nm;HJT 技术采用 PECVD 在硅片正反面先后沉积两层非晶硅薄膜用作钝化层,钝化
(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer) 是利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池,是结合了薄膜太阳能技术的单晶硅电池。PERC(Passivated
大概在50%-70%之间。
HJT电池和PERC电池均属单晶硅太阳能电池,两者的理论转换效率上限均为29%。中国实验室效率最高的单晶硅太阳电池纪录由汉能集团保持25.1%,这也是6英寸HJT太阳电池
、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四个步骤,主要生产设备有清洗制绒机、PECVD、RPD/PVD以及丝网印刷机。目前,异质结产线设备较高,占据了异质结电池产品成本很大的比重,根据预测,异质结核心设备
仅有的几家掌握高效异质结太阳能电池技术的企业之一。
在今年的SNEC光伏展会上,钧石能源带来了具有自主知识产权的GW级异质结量产设备,该设备为最低运营成本而设计。
钧石能源GW级异质结电池生产线设计
本偏高。 第二代太阳能光伏电池,主要是非晶硅薄膜太阳能电池和晶硅薄膜太阳能电池。其中非晶硅的砷化镓太阳能电池效率目前可达30%左右,但是价格昂贵,综合性价比并不高,因此多用于对性能要求很高的太空飞行
,帮助读者正确把握和判断异质结电池成本降低前景。
本文将分析用于沉积非晶硅薄膜和TCO透明导电层的沉积设备企业2020年最新进展。设备成本决定异质结产线投资额,而沉积设备占据设备成本的主要份额
领先性。
理想万里晖
2019年,理想万里晖击败欧美设备公司,研制的国内首台高效100MW高效异质结太阳能电池用PECVD装备中标中威异质结太阳能项目。
同年,客户使用万里晖PECVD设备制备的
1. HIT 电池性能优异,商业化节奏提速1.1 HIT:一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术
HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底,以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池
,Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准