非晶硅组件

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国内40家光伏薄膜电池厂商大盘点(下篇)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-31 04:44:59

了50000多平方米的土地,建起了绿色花园式万业隆科技园和薄膜光伏太阳能电池组件生产基地。并引进国内外先进的制造检测设备,吸纳国际高端技术人才,年非晶硅电池产能为15MW。预计在短期内将再增加35MW的
有限公司生产和制造规格为1100mm x 1400mm的非晶硅光伏组件,2009年及2010年年产量分别为40兆瓦和120兆瓦。为满足全球对清洁能源的需求,新能光伏国际有限公司计划增加产量,力图在2011

政府出手救赎光伏业 十股拐点或已出现来源: 发布时间:2012-10-30 08:55:59

元器件行业,主营产品为晶硅和非晶硅太阳能电池片及组件,是国内最大的非晶硅太阳能产品生产商。2011年三季度,公司实现营业收入3.79亿元,同比下降10.94%;营业利润亏损4442.98万元(上年同期为

国内40家光伏薄膜电池厂商大盘点(上篇)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-30 01:09:59

环保的绿色能源解决方案。公司产品非晶硅薄膜电池组件,主要的生产技术包括:使用LPCVD沉积前透明氧化物电极与背接触电极;使用PECVD技术沉积非晶硅薄膜;通过P1、P2与P3激光划刻技术把非晶硅
太阳能科技有限公司成都旭双太阳能科技有限公司是由东旭集团、成都工业投资集团有限公司、成都西航港建设投资有限公司和北京泰轶斯太阳能科技有限公司共同投资建立的以研发、制造、销售非晶硅薄膜太阳能电池及组件和提供

光伏产业的薄膜时代即将来临来源: 发布时间:2012-10-29 10:32:38

索比光伏网讯:为了寻找单晶硅电池的替代品,人们除开发了多晶硅,非晶硅薄膜太阳能电池外,又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物,硫化镉,碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。那么什么
300万千瓦,到2020年规模达2500万千瓦的要求,业内分析认为,随着未来屋顶光伏电站的大规模开建,相对更适用于屋顶电站的薄膜太阳能组件市场有望迎来发展良机,而这一市场未来10年的规模或可达1000亿元以上。此前普遍不被看好的薄膜太阳能电池组件商有望进入业绩大幅增长通道,可以说薄膜时代即将来临。

关键技术与设备:光伏产业核心所在【最新专题】来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-27 08:46:59

为了寻找单晶硅电池的替代品,人们除开发了多晶硅,非晶硅薄膜太阳能电池外,又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物,硫化镉,碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。那么什么是薄膜电池呢
2020年规模达2500万千瓦的要求,业内分析认为,随着未来屋顶光伏电站的大规模开建,相对更适用于屋顶电站的薄膜太阳能组件市场有望迎来发展良机,而这一市场未来10年的规模或可达1000亿元以上。此前普遍

【独家】2012年国家出台支持光伏产业相关政策汇总来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2012-10-26 11:34:23

:多晶硅领先企业达到5万吨级,骨干企业达到万吨级水平;太阳能电池领先企业达到5GW级,骨干企业达到GW级水平;单晶硅电池的产业化转换效率达到21%,多晶硅电池达到19%,非晶硅薄膜电池达到12%,新型
薄膜太阳能电池实现产业化。到2015年,光伏组件成本下降到7000元/千瓦,光伏系统成本下降到1.3万元/ 千瓦,发电成本下降到0.8元/ 千瓦时,光伏发电具有一定经济竞争力; 4、2012年3月

光伏电站接入电网标准将公布 9股望成赢家来源: 发布时间:2012-10-26 09:07:59

。  拓日新能:光伏产业回暖尚需时日类别:公司研究 机构:天相投资顾问有限公司 研究员:邹高 日期:2011-10-25公司属于元器件行业,主营产品为晶硅和非晶硅太阳能电池片及组件,是国内最大的非晶硅太阳能产品

旭双太阳能首批非晶硅薄膜光伏电池组件成功发货来源:世纪新能源网 发布时间:2012-10-24 23:59:59

索比光伏网讯::成都旭双太阳能科技有限公司是东旭集团在太阳能产业成功布局的第一个太阳能电池生产基地,一期工程年产60MW的非晶硅薄膜电池及组件产线于2012年3月31日正式投产,经过半年的试产,各项
太阳能电池生产线产业基地奠定了坚实的基础,为发展壮大民族绿色太阳能产业书写新的篇章。 图:旭双太阳能首批非晶硅薄膜光伏电池组件成功发货

江苏2012第二批金太阳示范工程通知发布来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-23 11:21:59

基本要求(2012年)一、电池组件(一)性能要求1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)14.45%,非晶硅薄膜组件7%,CIGS薄膜组件10%。2、工作温度范围-40C +85C,初始功率

【光伏观察】关于组织申报2012年度第二批金太阳示范工程通知来源: 发布时间:2012-10-23 10:41:08

%,非晶硅薄膜组件7%,CIGS薄膜组件10%。2、工作温度范围-40C +85C,初始功率(出厂前)不低于组件标称功率。3、使用寿命不低于25年,质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%,25年内