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非晶硅 太阳能 电池
耐磨性能。部分多晶硅电池组件2-3年功率衰减3.8%-7.0%，非晶硅3年功率衰减达20%。中科院电工所在对青海省光伏电站后评估检测后得出的结果。而根据鉴衡认证中心调查中，全国已调查的425座太阳能电站中
厚度，这就要求开发商选择的背板外表层，必须具有较强的耐磨性能。部分多晶硅电池组件2-3年功率衰减3.8%－7.0%，非晶硅3年功率衰减达20%。中科院电工所在对青海省光伏电站后评估检测后得出的结果。而
索比光伏网讯:频发的质量问题作为光伏电站最重要的基础设备，电站的质量、发电量、收益率、价值都与组件息息相关。组件主要由电池、封装材料、背板、玻璃、边框、接线盒等组成，其中，电池片是最为核心的关键部件
具有较强的耐磨性能。
部分多晶硅电池组件2-3年功率衰减3.8%－7.0%，非晶硅3年功率衰减达20%。 中科院电工所在对青海省光伏电站后评估检测后得出的结果。而根据鉴衡认证中心调查中，全国已调查
基础设备，电站的质量、发电量、收益率、价值都与组件息息相关。组件主要由电池、封装材料、背板、玻璃、边框、接线盒等组成，其中，电池片是最为核心的关键部件，外部封装材料都是为了保护它的正常与稳定运行。在这
。而正是这种显而易见的矛盾对立面，光伏发电从一开始就走在提性能、降成本的直行道上。
虽然全球第一块实用太阳能电池1954年已经问世，但太阳能发电真正的产业化进程则是21世纪事情。来自OFweek
行业研究中心的数据显示，2000年至2008年，全球太阳电池产量年均复合增长率为47％，2008年产量达到6.4GW，至2013年，全球光伏组件产量已经达到40GW。同期，以欧美为主的全球太阳能
晶体硅太阳能电池的表面积与体积的比率大，表面复合严重。此外，与半导体级硅片相比，太阳能级单晶硅和多晶硅体内存在大量的杂质和缺陷，而这些杂质和缺陷会充当复合中心，增加复合速率。表面复合和杂质缺陷复合
会显着降低少子寿命和太阳电池性能。因此减少表面复合和杂质复合是进一步提高晶体硅电池效率的关键问题。
目前，商品化的晶体硅太阳能电池普遍采用铝背场（ALBSF）来钝化电池背表面，降低少数载流子在电池
夏普公司(Sharp Corporation)进入批量生产的新一代太阳能电池技术，预计将基于其晶硅和非晶硅薄膜电池的长期发展，号称效率超过25%。
夏普于2014年四月下旬在日本宣布，氢化
非晶硅(a-Si:H)、N型单晶硅(c-Si)异质结背接触(HBC)技术，转换效率为25.1%，比较接近松下公司(Panasonic Corp)该月早些时候宣布的其最新HIT电池开发25.6%的效率，也
系数一般是 -0.35～-0.45%/℃，非晶硅电池的温度系数一般是-0.2%/℃左右。而光伏组件的温度并不等于环境温度。下图就是光伏组件输出功率随组件温度的变化情况。
在正午12点附近
分为三类：自然因素、设备因素、人为因素。
一、自然因素对系统效率的影响
1、温度折减
我觉得，对系统效率影响最大的自然因素就是温度。温度系数是光伏组件非常重要的一个参数。一般情况下，晶硅电池的温度
其它光伏技术的优异性，其将成为下一代高效太阳能电池技术的主流发展趋势。精曜科技所推出的新一代大面积PECVD系统主要用于沉积非晶硅膜层，其良好的硬件性能保证了制备产品高于730 mV 的潜在开路电压，并且均匀性保持在1%以内。这些结果表明精曜科技的PECVD设备完全满足量产高效电池的需求。
太阳能电池技术的主流发展趋势。精曜科技所推出的新一代大面积PECVD系统主要用于沉积非晶硅膜层，其良好的硬件性能保证了制备产品高于730 mV 的潜在开路电压，并且均匀性保持在1%以内。这些结果表明精曜科技的PECVD设备完全满足量产高效电池的需求。
了HJT太阳能电池技术相较于其它光伏技术的优异性，其将成为下一代高效太阳能电池技术的主流发展趋势。精曜科技所推出的新一代大面积PECVD系统主要用于沉积非晶硅膜层，其良好的硬件性能保证了制备产品高于
