非晶材料

减值计提增加。图表7：硅片-电池-组件2012-2013年第一季度经营情况（单位：百万元，%）　　1）亿晶光电亿晶光电4月27日公布2013年一季报，公司实现营业收入44268.80万元，同比
：亿晶光电2012-2013年第一季度经营情况（单位：百万元，%）　　2）向日葵向日葵4月25日公布2013年一季报，公司实现营业收入25547.20万元，同比增长8.59%；实现归属于上市公司股东的

高效率太阳能电池结构是：交指式背接触(IBC)太阳能电池，非晶Si/N-Si异质结(HIT)太阳能电池，普通电池结构PANDA太阳能电池。 1.交指式背接触的太阳能电池
研发了非晶Si/N-Si异质结结构电池。由于在异质结界面插入一层本征非晶Si薄层，所以这类太阳能电池的结构也称为具有本征Si层的异质结电池，简称HIT电池。通过插入薄本征非晶硅层，降低了太阳能电池的

5月8日消息，光伏硅片是生产太阳能电池和组件的基本材料。每年有超过70亿片光伏硅片被用于生产太阳能电池，因此硅片的生产技术对光伏产业有着十分重要的意义。 光伏硅片的原料是高纯
多晶硅。用于生产光伏硅片的多晶硅纯度必须在6N级以上(即非硅杂质总含量在1ppm以下)，否则光伏电池的性能将受到很大的负面影响。 2007年后多晶硅片占比反超

密切相关，同时太阳能电池的结构也决定着电池的制造成本。目前研发的高效率晶体硅Si太阳能电池的种类较多，有代表性的三种高效率太阳能电池结构是：交指式背接触(IBC)太阳能电池，非晶Si/N-Si异质结
太阳能电池日本三洋公司研发了非晶Si/N-Si异质结结构电池。由于在异质结界面插入一层本征非晶Si薄层，所以这类太阳能电池的结构也称为具有本征Si层的异质结电池，简称HIT电池。通过插入薄本征非晶硅层

发展的另一个因素，是应用材料、欧瑞康和Centrotherm等公司提供更多的一揽子生产线。基于硅的薄膜包括非晶（aSi）与微晶硅（Si）的各种组合，主要根据成本和光吸收能力进行权衡。处于开发或早期生产

对入射光的吸收，但该方法均需先单独采用热氧化方法生长一层10~20umSiO2使硅片表面非晶化、且对多晶效果不理想。SixNy膜层不仅减缓浆料中玻璃体对硅的腐蚀抑制Ag的扩散速度从而使后续快烧工艺温度范围
钝化技术可用于n型硅片的正面和背面。除了顺风光电最新的研发成果之外，深圳捷佳伟创在此方面近期也取得了阶段性突破。在半导体材料中，某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。单晶硅中掺硼为P型，掺

美国桑迪亚国家实验室最近发表了新型光伏电池，设计为雪花的形状，以硅晶制成微粒子，并使 用微电子和微形机电系统技术，材料费较太阳能电池节省100倍。由于其形状和大小的关系，非 常适合一些特殊的运用。比如将它使用在衣服上，随时给自己的手机充电。

，由于mc-Si的结构缺陷(如晶界和高密度位错)，mc-Si制造的太阳能电池在光电转换效率方面受到限制。为了克服mc-Si的缺点，提出用有籽晶DS技术生产低缺陷密度的准单晶硅。在此技术中，用单晶硅籽晶
。Miyazawa等人用DS过程中的2D/3D混合模型进行计算，研究坩埚形状、尺寸和材料性质对界面形状的影响。Wang等人和Ma等人比较了有和没有隔热的生长系统间的等温形状和能耗。但是，很少有研究者针对隔热环几何

品牌申请住宅J-PEC的中国公司有尚 德、阿特斯、超日、UP SOLAR、天合、英利、韩华，通 过代理店配系统销售的有晶澳、上海交大、亿晶，贴牌的 有南京中电CSUN、巨力。她表示，虽然已有一些企业
仅限于日本TV莱茵，上海TV莱茵却不行。同样的机构只是地点不同，但就是不行。 站在日本本土企业与消费者角度考虑，他对于非本土企业及产品的排斥觉得可以理解，本土保护主义存在于各种国家的对外贸易中。但是

等公司提供更多的一揽子生产线。 基于硅的薄膜包括非晶(aSi)与微晶硅(Si)的各种组合，主要根据成本和光吸收能力进行权衡。处于开发或早期生产阶段的是染料敏化太阳能电池 (DSSC)，它使用吸光染料
微米的多晶硅。相反，薄膜面板通过在基板上沉积多层其它材料制成，厚度为几微米。两种技术之间的主要差异在于效率与每瓦发电成本。 薄膜面板在把阳光转变成电力时效率较低，但其制造成本也明显较低。值得注意的是