锌沉积
吸收层匹配得到理想参数，同时采用了创新的氧化锌薄膜成分。氧化锌成分相比先前的TCO解决方案提供了更好的吸光效果。TCO 1200 LPCVD制造系统沉积一个单层，通过很高的雾光散射、很低的薄膜电阻和卓越
导电性可以调整，从而为光伏吸收层匹配得到理想参数，同时采用了创新的氧化锌薄膜成分。氧化锌成分相比先前的TCO解决方案提供了更好的吸光效果。TCO 1200 LPCVD制造系统沉积一个单层，通过很高的雾光
扩散的问题上，能提供比平面型电池更好的折衷表现。为了避免触媒污染影响效率，研究人员舍弃热门的气-液-固成长法(vapor-liquid-solid, VLS)，改采金属氧化物化学气相沉积法
将是最有效的方法。研究人员在长好的纳米线之间填入树脂(resin)，再溅镀上ITO电极，并加入梳状的银电极，基板的背侧则使用金锌的合金电极。制成的电池具有1.0 cm1.0 cm的表面积，其中包含了三块
D方法沉积p型、i型和n型薄膜，最后用溅射做背电极。目前工业化的TCO制备方法有溅射法(Sputter)和化学气相沉积法(CVD)，分别在玻璃基板上形成ZnO:Al或ZnO薄膜。化学气相沉积通常使用
碳原子轨道的速度却慢得多，这样在若干微秒的时段内就形成了“电子—空穴对”。 为了使这种“电子—空穴对”形成电流，研究人员制成了一个“夹层”，它一面是金属铝，另一面是锌—铟金属氧化物，中间填充塑料
粒子。这样的“夹层”本身在两层之间就存在电场，聚合塑料粒子起到了绝缘层的作用。但是当阳光照射的时候，由于聚合有机物的碳原子产生“电子—空穴对”，带负电的电子向铝金属层流动，而带正电的“空穴”向锌—铟
。 通常金属氧化物都是绝缘材料，只有铟锡氧化物是个例外，因此被广泛用作半导体材料。在太阳能电池生产加工中，其导电层一般要通过特殊的表面处理，如在氧化锌表面采用高温化学气相沉积法。鲁尔大学物理
德国鲁尔大学的科学家在氧化锌材料表面处理过程中偶然发现，氢原子能在室温条件下与氧化锌表面的氧原子反应，使锌原子还原，并使原本是绝缘体的氧化锌变成导体。这一发现可用于开发太阳能电池和氢传感器
美国Buffalo大学（UB）的化学家开发了新的方法，通过鬃似的致密纳米结构使化学纯度的氧化锌薄膜增厚，开发出使其沉积在对温度敏感的基质如聚合物和塑料上的新方法。
这一研究成果已在
《物理化学》杂志上公布。将通用的氧化锌薄膜沉积在柔性表面，从而开发了更高效的太阳能电池、液晶显示、化学传感器和光电子设施。
研究表明，高质量氧化锌薄膜可制成许多形状，包括薄膜、纳米棒和纳米颗粒。然而
碲是地球上的稀有元素，发展碲化镉薄膜太阳能电池面临的首要问题就是地球上碲的储藏量是否能满足碲化镉太阳能电池组件的工业化规模生产及应用。工业上，碲主要是从电解铜或冶炼锌的废料中回收得到。据相关
开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。
1.1 CdS薄膜结构特性
CdS是非常重要的：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜
备CdS薄膜，其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。
各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应
%au(jn'qRvl 在第二次世界大战期间美国杜邦公司采用锌（Zn）还原SiCl4制出多晶硅，供美国的电子公司生产高频二极管 ，但用途未扩大 。m# ]t&Dl 1953
年贝尔实验室将易于提纯和回收重复使用的氢气（H2）代替难于提纯的Zn还原SiCl4，在钽（Ta）丝上沉积多晶硅，P型电阻率达到1000Ω?cm。 l 1955年西门子公司研究成功了用H2还原
