,以及工艺过程中玷污的过渡族金属被认为是电池转换效率较低的关键原因,因此关于铸造多晶硅中缺陷和杂质规律的研究,以及工艺中采用合适的吸杂,钝化工艺是进一步提高铸造多晶硅电池的关键。另外,寻找适合铸造多晶硅
一种趋势。其中,碲化镉(CdTe)和铜铟硒(CuInSe2)被认识是两种非常有前途的光伏材料,而且目前已经取得一定的进展,但是距离大规模生产,并与晶体硅太阳电池抗衡需要大量的工作去做。
非晶硅太阳电池
14.5(始)±0.7b12.8(稳定)±0.7
美国USSC公司
0.27cm2面积
含镓的铜铟电池
19.5±0.6
美国国家
太阳电池组件l 金属衬底封装 塑料衬底封装+i-R0k*f t4XS ④标准化薄膜太阳电池组件
l 单玻璃封装 双玻璃封装1h_9|;y