铜铟镓硒

。在过去的一年，汉能在薄膜太阳能芯片的研发和量产效率方面又创造了3项世界纪录：砷化镓单结量产组件效率已经达到25.1%;铜铟镓硒玻璃基全面积组件效率已经达到18.72%，柔性溅射法冠军组件效率已经达到

2009年开始，公司已经专注薄膜太阳能领域，多年来积极投入与研发最先进薄膜太阳能技术。公司目前已掌握全球最领先的铜铟镓硒(CIGS)和砷化镓(GaAs)技术，具有领先装备产线的研发、设计及交付能力
关键新材料发展等多项文件，分别将铜铟镓硒薄膜电池、高效砷化镓电池、薄膜太阳能电池制造装备、高效光伏电池、铜铟镓硒及砷化镓材料等列为战略发展重点。公司所研制开发之薄膜太阳能电池制造装备及铜铟镓硒、砷化镓

最大、技术最先进、同时也是首个具备两种不同工艺路线的铜铟镓硒薄膜太阳能生产基地 淄博汉能57.52%股权被转让给淄博高新及华丰源。其中，前者占有股权为33.33%，后者占有超过50%。后者股东前海集田

汉能将山东淄博公司之57.52%股权，转让予淄博高新技术产业开发区国有资产经营管理公司及华丰源投资，收购后，已向该公司注资人民币11亿元 淄博汉能成立于2014年3月，规划总产能为3GW的铜铟镓硒

转化率和质量要求，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于16%和16.8%;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%;含变压器型的

铜铟镓硒(CIGS)的温度系数仅为-0.1~0.3%，碲化镉(CdTe)温度系数约为-0.25%，均优于晶硅电池。 上图是模拟5-85℃下，同一块晶硅太阳能电池的的电流、电压、功率输出曲线(模拟

项目，最低资本金比例为20%。 现有光伏制造企业及项目产品则应满足一系列技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉

》(2018版)：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于16%和16.8%。 变化七 《光伏制造行业规范条件》(2013版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其
他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 10%、 11%、 10%。 《光伏制造行业规范条件》(2015版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别