铜铟镓硒薄膜
转化率和质量要求，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于16%和16.8%;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%;含变压器型的
降。市场主流晶硅光伏组件的峰值温度系数大概在-0.38~0.44%/℃之间，即温度升高，光伏组件的发电量降低，意思是：理论上是温度每升高一度，发电量降低0.38%左右。而薄膜太阳能电池温度系数会好很多，如
铜铟镓硒(CIGS)的温度系数仅为-0.1~0.3%，碲化镉(CdTe)温度系数约为-0.25%，均优于晶硅电池。
上图是模拟5-85℃下，同一块晶硅太阳能电池的的电流、电压、功率输出曲线(模拟
项目，最低资本金比例为20%。
现有光伏制造企业及项目产品则应满足一系列技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉
(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高：多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基
他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 10%、 11%、 10%。 《光伏制造行业规范条件》(2015版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10
能不低于200MWp、晶硅电池组件年产能不低于200MWp、薄膜电池组件年产能不低于50MWp、逆变器年产能不低于 200MWp(微型逆变器不低于10MWp)等条件。
现有光伏制造企业及项目产品则应满足一系列
、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。
6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权
组件年产能不低于200MWp;
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp;
8.逆变器年产能不低于200MWp(微型逆变器不低于10MWp)。
(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.
效率应分别达到17%和17.8%以上，硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率原则上参照晶硅电池组件效率提高幅度相应提高，各类光伏电池组件的衰减率指标保持不变。 第五条 基地光伏电站首
，企业采用的多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率应分别达到17%和17.8%以上，硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率原则上参照晶硅电池组件效率提高幅度相应提高，各类光伏电池
17.8%以上，硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率原则上参照晶硅电池组件效率提高幅度相应提高，各类光伏电池组件的衰减率指标要求保持不变。 13 为保障企业竞争优选的公平性，对于
，硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率原则上参照晶硅电池组件效率提高幅度相应提高，各类光伏电池组件的衰减率指标要求保持不变。 13 为保障企业竞争优选的公平性，对于同一项目、同一主体
