铜基薄膜

技术发展指南（2015年）》的通知，该指南共确定优先发展的产业关键共性技术205项，这当中就包括备受瞩目的薄膜太阳能电池生产技术。指南指出，拓展硅基薄膜太阳能电池应用范围，发展BIPV构件产品。支持
铜铟镓硒薄膜电池生产工艺技术研发，特别是大规模柔性铜铟镓硒卷对卷连续生产工艺，提升转换效率，降低生产成本。及时跟进高效率砷化镓及有机薄膜电池技术产业化进程。业内专家表示，此次工信部出台的技术发展指南

产业的发展路径，总体目标是2020 年形成百亿产业规模，2025 年整体产业规模突破千亿。重点发展领域包括：石墨烯基电极材料在电动车领域应用，石墨烯基防腐材料在海洋工程领域应用，石墨烯薄膜在柔性电子领域

%，多晶硅电池组件光电转换效率达到17%，硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件光电转换效率分别达到12.5%、13.5%、13.5%和12.5%（13分）3.单晶硅电池光伏组件转换效率达到18
%，多晶硅电池组件光电转换效率达到17.5%，硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件光电转换效率分别达到13%、14%、14%和13%（16分）4.有重大技术突破，且处于国际行业领先水平（20分）五、土地

）2.单晶硅电池光伏组件转换效率达到17.5%，多晶硅电池组件光电转换效率达到17%，硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件光电转换效率分别达到12.5%、13.5%、13.5%和12.5%（13分

不低于15.5%和16%；高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%。这几项指标无疑是

光电转换效率 分别不低于15.5%和16%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10%； 6.含变压器型的光伏逆变器
能不低于200MWp； 7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp； 8. 逆 变 器 年 产 能 不 低 于 200MWp （ 微 型 逆 变 器 不 低 于 10MWp）。 （四）现有

促进空穴电子对的重组，从而降低光电转换效率。为了制备高质量的薄膜，我们有必要了解薄膜生长过程中结构缺陷的形成和湮灭机理。最近，亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心发现共蒸发法制备的铜铟镓硒薄膜的缺陷密度受到

，结构缺陷会促进空穴电子对的重组，从而降低光电转换效率。为了制备高质量的薄膜，我们有必要了解薄膜生长过程中结构缺陷的形成和湮灭机理。最近，亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心发现共蒸发法制备的铜铟镓硒薄膜的

薄膜而言，结构缺陷会促进空穴电子对的重组，从而降低光电转换效率。为了制备高质量的薄膜，我们有必要了解薄膜生长过程中结构缺陷的形成和湮灭机理。最近，亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心发现共蒸发法制备的铜