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钝化边缘
Degradation)是电池组件长期在高电压作用下，使玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块
组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象。
造成组件PID现象的原因主要有以下三个方面：
1)系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘
单晶硅棒切成薄硅片，且具有一定的几何尺寸。退火：先将温度提升至300℃500℃，然后让硅片表面发生反应，使得硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角：就是将退火的硅片进行修整，一般是修整成圆弧形状，以防硅片边缘
硬度过低，那么就会使得颗粒被磨平钝化，从而导致其切割能力出现不足，会使得硅片出现锯痕。并且，如果滚动摩擦不足的话，也会让切割能力下降。所以，一般要求碳化硅的中值粒径保持在某一范围内。此外，在圆形度及微粉
衰减效应（PID，PotentialInduced Degradation）是电池组件长期在高电压作用下，使玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件
）系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶硅组件，通过有变压器的逆变器负极接地
方法和除锈等级应符合现行国家标准《涂装前钢材表面锈蚀等级和除锈等级》(GB8923-88)的相关规定。
2)除锈方法：钢构件可采用喷砂或喷丸的除锈方法，若采用化学除锈方法时，应选用具备除锈、磷化、钝化
。
4. 组件的每片电池与互连条应该排列整齐，组件的框架应整洁无腐蚀斑点。
5. 组件的封装层中不允许气泡或脱层在某一片电池与组件边缘形成一个通路，气泡或脱层的几何尺寸和个数应符合相应的产品详细规范规定
图，边缘部分膜层没有去除干净。这部分膜已经失去了钝化效果，烧结后存在于铝和硅的中间层，会增加铝硅的接触电阻。 下一页 3.测试及
太阳能光伏发电是新能源的重要组成部分，近年来在国内外受到了高度重视并迅速发展。光伏发电的核心技术晶体硅电池技术也在取得持续进步。钝化发射极及背局域接触电池（PERC）最早是由新南威尔士大学研发的
太阳电池生产过程中，部分晶体硅太阳电池难免会因为各种原因导致局部漏电，甚至短路。晶体硅片在制作生产过程中导致局部漏电主要原因为1）通过PN结的漏电流；2）沿电池边缘的表面漏电流；3）金属化处理后沿着
进行准确的识别。 刻蚀不完全或未刻蚀的硅片在IR下表现为电池片边缘发红，如图3所示。刻蚀不完全或未刻蚀的电池片在进行四周打磨后漏电流会减少到2A以下，如表1所示。 以上几点可以判断为刻蚀不完全或未刻蚀
生产过程中导致局部漏电主要原因为1)通过PN结的漏电流;2)沿电池边缘的表面漏电流; 3)金属化处理后沿着微观裂纹或晶界形成的微观通道的漏电流。本文主要探究了晶体硅电池漏电的原因，并进行具体分析。
一
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刻蚀不完全或未刻蚀的硅片在IR下表现为电池片边缘发红，如图3所示。刻蚀不完全或未刻蚀的电池片在进行四周打磨后漏电流会减少到2A以下，如表1所示。
以上几点可以判断为刻蚀不完全或未刻蚀造成的
、封装材料、边框之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池片表面的钝化效果恶化，导致填充因子（FF）、短路电流（Isc）、开路电压（Voc）降低，使组件性能低于设计标准。SunPower称此
内部的导电通道，降低了组件的电流输出。
3) 第三种原因解释
光伏组件的边缘部分容易有水气进入， EVA发生水解后会生成醋酸，醋酸和玻璃中的Na反应，可以生成大量的自由移动的Na离子
、气孔关闭，叶绿素钝化、分解、破坏及植物组织灼伤，使光合作用强度下降。
所以在实际测量时光强过高时光光合作用曲线会呈抛物线状。植物的光合作用强度和呼吸作用强度达到相等时的光强值称为光补偿点。
不同
用途还是产生永久性损害缺少司法解释，各光伏电站开发商均游走于红线边缘。
根据伏圈知名的新媒体平台光伏资讯微信平台整理了国土资源部官方网站发布的与光伏有关信息，供大家参考。
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渐近线，这种现象称为光饱和现象。这个光的临界点称为光饱和点。若光强高于光饱和点，不仅不会使植物光合作用强度增强，反而会导致叶温升高、气孔关闭，叶绿素钝化、分解、破坏及植物组织灼伤，使光合作用强度下降
边缘。根据伏圈知名的新媒体平台光伏资讯微信平台整理了国土资源部官方网站发布的与光伏有关信息，供大家参考。1）2014-11-13此类光伏电站是否需办理农用地转用审批手续？咨询：新建农业大棚，棚上安装
