伏特效应。1917年,波兰科学家切克劳斯基发明CZ技术,后经改良发展成为太阳能用单晶硅的主要制备方法。1941年,奥尔在硅材料上发现了光伏效应。1954年,美国科学家恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室首次
制成了实用的单晶硅太阳能电池。1955-1975年,由于单晶电池成本较高,产业界不断致力于降低晶体制造成本,并提出铸锭单晶工艺。1976年,铸锭单晶技术失败,德国瓦克公司率先将铸锭多晶用于太阳能电池
10年内,高效背钝化和背接触电池技术是取代现有技术的革命性的产品,而背接触集成背板是高效背接触电池必不可少的关键构成部分。据The International Technology Roadmap
for Photovoltaic (ITRPV 2014)统计,背接触高效太阳能电池组件技术在2013年只占5%市场份额,2014 年为15%,预计在2024年可达到50%。为达成这一增长,就需要降低背
,SiNx膜被制备在硅的表面起到两个最用,其一是减少表面对可见光的反射;其二,表面钝化作用。PECVD技术的分类用来制备SiNx膜的方法有很多种,包括:化学气相沉积法(CVD法)、等离子增强化学气相沉积
索比光伏网讯:为了提高晶体硅太阳能电池的效率,通常需要减少太阳电池正表面的反射,还需要对晶体硅表面进行钝化处理,以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。硅的折射率为3.8,如果直接将光滑的硅表面放置
都是值得关注的重点。其中,PERC即射极钝化及背电极(Passivated Emitterand Rear Cell),这种依靠增加光波吸收来提升电池的技术,其光电转换效率将达到21%,并能在有限的成本
从晶体和薄膜在中国市场诞生那天起,一场关于产品效率和技术路线的竞赛就敲响战鼓,晶体硅电池的性价比日新月异,薄膜电池的转换效率也节节攀升。在过去五年中,聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳
公元1893年,光生伏特效应即为法兰西贝克雷尔所察。至公元1950年,凭硅之光伏效应,拉晶技术始用于单晶加造工业
光伏发电并网年已逾艾,于今唯天翻地覆差可拟之耳。硅者,乃光伏发电材料之基,於
后世之用亦殊深。其地位乃未来能源与环境之砥柱也。
公元1893年,光生伏特效应即为法兰西贝克雷尔所察。至公元1950年,凭硅之光伏效应,拉晶技术始用于单晶加造工业。其后四年,单晶硅太阳能电池诞于
逾23%之量产效率。单晶超强之发电效率,并金刚线切片致超薄硅片技术,终致单晶与多晶之成本差异步步紧缩,至电站终端,投资之本钱已无二致。较于成本高昂之异质结、背接触技艺,单晶背钝化工法之横空出世更令
索比光伏网讯:公元1893年,光生伏特效应即为法兰西贝克雷尔所察。至公元1950年,凭硅之光伏效应,拉晶技术始用于单晶加造工业光伏发电并网年已逾艾,于今唯天翻地覆差可拟之耳。硅者,乃光伏发电材料之基
,的确是慢了很多,这是行业技术发展必须面临的问题。然而,新的技术也不是没有,例如PERC(局部背钝化电池)、N型电池、IBC(背接触式)电池等对于效率的提升都很显著的,只是仍需要考量商业化生产的效益比
增速,的确是慢了很多,这是行业技术发展必须面临的问题。然而,新的技术也不是没有,例如PERC(局部背钝化电池)、N型电池、IBC(背接触式)电池等对于效率的提升都很显着的,只是仍需要考量商业化生产的
宣布这一消息,SolarWorld宣扬其是首家在生产中依靠钝化发射极背面电池(PERC)技术的公司的事实,三月开始将其约800MW的生产线升级为新的模式提升产能。
PERC架构包括电池背面的一个
钝化层,其反射光,否则光将会损失,有效提高可以被捕获并转化为电能的光的量,使转换效率超过20%。该层通常通过PECVD或ALD工艺形成。
最近,中国制造商无锡尚德的总裁熊海波在接受采访时表示,其
。日前宣布这一消息,SolarWorld宣扬其是首家在生产中依靠钝化发射极背面电池(PERC)技术的公司的事实,三月开始将其约800MW的生产线升级为新的模式提升产能。PERC架构包括电池背面的一个
钝化层,其反射光,否则光将会损失,有效提高可以被捕获并转化为电能的光的量,使转换效率超过20%。该层通常通过PECVD或ALD工艺形成。最近,中国制造商无锡尚德的总裁熊海波在接受PV-Tech采访时表示