钝化技术

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【工艺】PERC光伏电池技术最新探究来源: 发布时间:2016-02-24 00:01:59

太阳能光伏发电是新能源的重要组成部分,近年来在国内外受到了高度重视并迅速发展。光伏发电的核心技术晶体硅电池技术也在取得持续进步。钝化发射极及背局域接触电池(PERC)最早是由新南威尔士大学研发的
,由于对电池进行了双面钝化,背面电极采用局域接触的形式,有效地降低了表面复合,减少了电池的翘曲断裂。另外,对电池背面进行了抛光处理,提高了对长波的吸收。PERC电池制作流程如图1所示。目前,国内晶体硅电池

你了解N型高效单晶光伏电池技术吗?来源: 发布时间:2016-02-23 00:02:59

发射结浓度分布、均匀性、表面钝化技术难题已经解决。随着市场对电池效率的要求越来越高,P型电池的效率瓶颈已越发明显。N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势,具有更大的效率提升空间和稳定性
域n++局部重掺在降低接触电阻的同时,减少了金属接触区域的复合,提升了电池的开路电压和填充因子。电池Uoc达699mV,FF达80.5%,显示了良好的表面钝化效果和接触特性。PassDop技术采用成熟的

电站系统端需求拉动高效电池量产与市场化来源:PV-Tech 发布时间:2016-02-21 23:59:59

,以获得高性价比产品,提升竞争优势。其中,专注于钝化发射极背面电池(PERC)技术的中美晶,2015年第四季度与伏激光技术设备专家InnoLas Solutions签订合作,采用超快激光接触开缝(LCO

转换效率提升,单晶将重回光伏市场主导地位来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2016-02-06 11:27:30

回顾过去的2015年,我国光伏行业在国家政策的指引下,逆市上扬,行业持续回暖。这一年,政府先后发布《光伏制造行业规范条件》,《光伏产品领跑者认证计划》两个文件,促进了光伏产业技术进步和产业升级
商量产单多晶组件效率对比显示,单晶组件量产效率已经达到20%左右,多晶量产效率尚维持在18%上下。随着各大厂商的扩产,单晶组件产能也足以满足大批量的客户需求。 随着PERC(钝化发射器背面电池

山西晋能高效光伏电池中试与研发项目达世界领先水平来源:山西新闻网-山西经济日报作者:王龙飞 李高非 发布时间:2016-02-04 23:59:59

记者今天从晋能集团获悉,由晋能清洁能源科技有限公司研发的单晶背钝化电池中试效率达到了21.36%,高于行业内同类技术平均20.6%-20.9%的效率水平,达到世界领先水平。背钝化技术是目前ink

三国争霸 :单晶或战胜多晶、薄膜 成最后赢家来源:华夏新能源 发布时间:2016-02-02 15:53:24

单晶技术,2020年项目全部投产后,预计年产值超100亿元。 随着PERC(钝化发射器背面电池)技术的大力推广,单晶组件将继续提升1%的转换效率,多晶则只能提升0.4%~0.5%。同样的技术应用在不同

2016年光伏领跑者组件需求量或达6GW——晋能科技三代技术同发力,1.1GW产能力保270W多晶组件供应来源:索比光伏网 发布时间:2016-02-02 11:18:33

%。 在PERC背钝化技术电池方面,2016年1月该公司创新研发的单晶PERC背钝化电池中试效率达到21.36%,高于行业内同类技术20.6-20.9%的平均效率,达到世界领先水平。 截至目前,晋能科技

单晶、多晶、薄膜“三国鼎立” 单晶或成最后赢家来源:华夏能源网作者:曹昱媛 发布时间:2016-02-01 23:59:59

协鑫集团的一大手笔,首期1GW高效单晶项目投资12亿元,将于2015年底建成投产。项目采用全球领先的科技研发成果超高效N型单晶技术,2020年项目全部投产后,预计年产值超100亿元。随着PERC(钝化
insights公布的数据,单、多晶硅片的价差持续缩小,当前单晶硅片每片价栺仅高于多晶硅片0.021美元,单、多晶由池片的价差亦不断缩小,且预计这一趋势仍将延续。单晶硅与多晶硅是太阳能光伏晶硅组件的两条技术

2016年光伏领跑者组件需求量或达6GW来源:世纪新能源网 发布时间:2016-02-01 23:59:59

,平均效率呈现大幅度提升,自2015年3月到2016年1月,公司已经完成多晶高效电池的技术工艺升级迭代,多晶高效量产电池平均效率已经从投产初期的18.01%逐月攀升到18.7%。在PERC背钝化技术

你了解商业化高效晶硅光伏电池技术吗?来源: 发布时间:2016-02-01 00:01:59

虽然晶硅光伏已经占据了光伏市场的绝大部分份额,但其即使研发并没有停滞下来。作为研发最新方向的高效晶体硅太阳能电池技术,目前基本已经有商业化的产品问世。下面我们就来盘点一下这几款已经商业化的高效晶体硅
和阴影损失是可以通过技术措施减小的,而长波非吸收损失与半导体性质有关;②电学损失.它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的体电阻以及金属-半导体接触(欧姆接触)电阻损失