钝化层

1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术 HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池
的晶体结构具有不连续性，悬挂键密度高导致缺陷密度大，非晶硅层通过降低表面悬挂键的密度实现优良的界面钝化;2)HIT 电池在单晶硅衬底和掺杂非晶硅薄膜之间插入了一层较薄的本征非晶硅薄膜，使得异质结界面的界面态

一次面临瓶颈。 航天光伏技术总监沈禛珏表示： MILKYWAY PLUS+异质结新产品电池相较于其他电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光
电池技术能够帮助行业完成最后一公里的电池成本下降。对于当下已经接近平价的阶段，领跑者等项目的作用在减弱，资本方会引领新技术的发展。PERC在背面加入钝化结构，其短板是正面、所以加入热氧化和SE，目前又再

升级有望启动下一轮技术变革。当下，市场较为流行的商业化技术有PERC+和TOPCon ，其中，TOPCon通过隧穿氧化层和多晶硅薄层钝化电池，核心增加硼扩、LPCVD 设备,目前规划产能超过7GW

角度，也存在两方面的因素。 1) PERC 电池仍具备降本提效的空间，间接提高异质结电池的机会成本。虽然 PERC 技 术面临效率瓶颈的压力，但是通过相关技术叠加，如背钝化、LDSE、FLDP
首台异质结叠层 PECVD 设备正式启运，6 月实现第一片电池出片 2)迈为股份：领先的国产设备厂商，PECVD和激光切割设备同时发力。为通威 250MW 异质结试验产线提供核心 PECVD 设备

，使得HJT电池加速产业化。 ①结构对称、工艺简单、设备较少。HJT电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。其结构对称、工艺相对简单。 ②低温制造工艺。HJT电池采用
。HJT电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压。 ④由于电池上表面为TCO导电玻璃，电荷不会在电池表面的TCO上产生极化现象，PID现象(电势诱导衰减

相间的P+和N+扩散区，前表面制备金字塔状绒面来增强光的吸收，同时在前表面形成前表面场(FSF)。前表面多采用SiNx的叠层钝化减反膜，背面采用SiO2、AlOx、SiNx等钝化层或叠层。最后在背面

激光开槽是利用激光在硅片背面进行打孔或开槽，将部分AL2O3与SiNx薄膜层打穿露出硅基体，背电场通过薄膜上的孔或槽与硅基体实现接触。 1.3激光加工过程 1. 通过热激发或光激发产生导
。 3.2实验研究内容 实验研究背钝化技术在激光开槽过程中激光设备各项参数等对电池性能的影响，主要研究内容为： 1. 不同激光功率对电池片性能的影响。实验根据激光器固定参数设定不同的输出功率，以研究

，单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。 太阳能电池主要包括晶硅电池和薄膜电池，靶材主要应用于薄膜太阳能电池的背电极环节以及HIT(异质结)电池的导体层。晶体硅太阳能电池按照生产工艺不同可分为硅片涂覆型
太阳能电池以及PVD工艺高转化率硅片太阳能电池，其中硅片涂覆型太阳能电池的生产不使用溅射靶材，目前靶材主要用于太阳能薄膜电池领域，而HIT作为PERC(钝化发射极及背局域接触电池)未来的替代技术，有望实现

更具效率优势：PERC 电池(钝化发射极和背面电池)起源于上世纪 80 年代，并自 2015 年开始 逐步市场化。PERC 电池通过在电池背面增加钝化层，阻止载流子的复合行为，减少电损失，同时增强

往往会通过晶界侵入钙钛矿，因此也会影响稳定性。作者基于缺陷钝化和势垒构建两个方面总结了提高PSC稳定性的最新研究进展。 3)迄今为止，高效PSC通常使用基于Pb的钙钛矿作为吸收层。还研究了基于Sn
)PSC通常由钙钛矿吸收剂，电子和空穴传输层以及电极组成。这些层的质量在确定设备的PCE中起着至关重要的作用。因此，可以通过优化钙钛矿薄膜和界面来有效减少PSC中的能量损失，从而进一步提高器件效率。另外