钝化层
个数量级。亦即通过导入i型a-Si层，能够大幅度提高Voc,见下图.图三暗状态时的I-V特性比较化学钝化和HIT太阳能光伏电池构造的寿命关系采用-PCD法测定HIT太阳能光伏电池的少子寿命。-PCD法
索比光伏网讯:HIT太阳能光伏电池的伏安曲线分析HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性(0.4V附近)的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而
减反射膜。设想是先淀积一层高折射率n2的氮化硅可以更好地钝化电池的表面，然后生长低折射率n1的氮化硅用于降低表面反射率。这样的结构由Schmdt提出，但是他并没有讨论双层膜耦合后的光学性质以及电池片的工业
而且表面钝化效果也有所增强。批量试制结果显示电池转换效率提高了0.3%。1引言等离子增强气相沉积(PECVD)制备氢化非晶氮化硅(SiNx：H)已经成为工业太阳电池的标准工艺中一道工序。主要存在
时，要面临的一个问题是表面的复合与基区的材料质量。已经有实验证实，在使用SiNx作为前表面钝化层和Al作为背面场（BSF）时，当多晶硅片厚度大于200um，Jsc与硅片厚度是相互独立的关系，只有硅片厚度
更明显。SiNx作为前表面钝化层可以降低表面复合并且提高基区材料的质量。但是，当硅片厚度很低时，很低低能量光子将穿过硅片而不能被吸收，Jsc会出现降低的趋势。3、硅片厚度对开路电压Voc的影响在多晶硅
索比光伏网讯:太阳光电景气虽在低档期，但也被视为是正值技术研发、练功的黄金期，近期两岸业者关注的技术焦点之一，即是近1年来国际诸多设备业者陆续计划推出的金属背部钝化层
钝化层(backsidepassivation)，太阳能业者解释，该技术主要是将AL2O3薄膜作为P型太阳能光伏电池背面钝化膜或N型电池正面，主要目的就是让阳光在电池中产生的电子及电动可安全的到达电路
索比光伏网讯:太阳光电景气虽在低档期，但也被视为是正值技术研发、练功的黄金期，近期两岸业者关注的技术焦点之一，即是近1年来国际诸多设备业者陆续计划推出的金属背部钝化层(backside
钝化层(backside passivation)，太阳能业者解释，该技术主要是将AL2O3薄膜作为P型太阳能光伏电池背面钝化膜或N型电池正面，主要目的就是让阳光在电池中产生的电子及电动可安全的到达
索比光伏网讯:两岸业者近年来关注提升转换效率的新技术之一，即是金属背部钝化层(Backside Passivation)，该技术主要就是将AL2O3薄膜，作为P型太阳能电池背面钝化膜，或N型电池
的目的.烧结过程中有利于PECVD工艺所引入－H向体内扩散，可以起到良好的体钝化作用。烧结方式：高温快速烧结加热方式：红外线加热烧结过程1、烧结是一个扩散、流动和物理化学反应综合作用的过程。在印刷状况
上保温层，在外层还覆盖有双层的铝反射板，有效延长了灯管的使用寿命。③冷却冷却盒子是一个可循环的盒子，为了冷却电池片和皮带，运送冷却水的管道安装在皮带的上部和下部。冷却风扇分别安装在循环水管道的上方和下方
索比光伏网讯:所谓选择性发射极（SE-selectiveemiter）晶体硅太阳电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高
结构的太阳电池n+扩散层方阻一般在40-50/□，而SE结构的太阳电池的浅扩散方阻一般在80-100/□，在电极下的重掺方阻则低于40/□。该结构电池的优点1、降低串联电阻，提高填充因子在丝网印刷工艺下
降低每瓦成本激光器未来的另一个应用包括在晶硅太阳能电池上选择性烧蚀钝化层。超短脉冲和高脉冲能量的激光器特别合适，因为它们具有绝佳的光束质量，这些条件都只能通过碟片激光技术才能实现。由于激光输出功率的可
了快速的发展。专家希望能在中期内得到20%的市场份额。在薄膜太阳能电池的生产中，激光器在结构化和电池单元互连上起着决定性的作用，以确保太阳能模块能所要求的绝缘强度。已确立的工艺：激光刻线根据不同的膜层
%。公司管理层预计其在中国市场上的业务将在2012 年内继续增长;值得关注的是，在2011 年内，欧洲市场业务量占到了英利公司总收益额的60%，与上一年度相比，其在欧洲的主要市场德国市场的收益额比重却从59
电池和组件产能，上半年产能达到2.4GW;通过钝化和金属技术，公司多晶硅电池取得19.6%的转换效率;创造了实验室多晶硅组件输出功率的新的世界纪录;对于2012 年第一季度，公司预计出货量为
