5月22日,保利协鑫切片事业部副总裁金善明在参加多晶金刚线切与黑硅技术论坛时发表题为《多晶硅片金刚线切割技术最新进展》报告,分析介绍了多晶硅片金刚线切割技术的优势和挑战,指出黑硅技术有望成为金刚线切
多晶技术真正走向量产的出海口。
金善明表示,从成本角度来看,大规模应用金刚线切割是晶体硅光伏的大势所趋,但在多晶领域进展仍比较缓慢。从目前小规模量产的情况看,金刚线切多晶有着多项明显优势。其中
高效时代。而硅片领域的一系列技术进步,则成为成本降低的重要推动力。在占据主要市场的多晶领域,更大铸锭炉型的改造及普及,金刚线切割多晶硅片工艺的导通及客户接受程度的提升将成为主要因素,多晶技术仍然蕴藏
巨大潜力。目前小众的单晶技术将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺、一炉三棒等先进工艺。这两年保利协鑫硅片产量提升的原因在于精细化管理和工艺技术
计划的推动下,光伏产业将以更快速度步入高效时代。而硅片领域的一系列技术进步,则成为成本降低的重要推动力。在占据主要市场的多晶领域,更大铸锭炉型的改造及普及,金刚线切割多晶硅片工艺的导通及客户接受程度的提升
将成为主要因素,多晶技术仍然蕴藏巨大潜力。目前小众的单晶技术将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺、一炉三棒等先进工艺。
这两年保利协鑫硅片产量
,光伏产业将以更快速度步入高效时代。而硅片领域的一系列技术进步,则成为成本降低的重要推动力。在占据主要市场的多晶领域,更大铸锭炉型的改造及普及,金刚线切割多晶硅片工艺的导通及客户接受程度的提升将成
为主要因素,多晶技术仍然蕴藏巨大潜力。目前小众的单晶技术将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺、一炉三棒等先进工艺。
这两年保利协鑫硅片产量提升的原因在于精细化
速度步入高效时代。而硅片领域的一系列技术进步,则成为成本降低的重要推动力。在占据主要市场的多晶领域,更大铸锭炉型的改造及普及,金刚线切割多晶硅片工艺的导通及客户接受程度的提升将成为主要因素,多晶技术
仍然蕴藏巨大潜力。目前小众的单晶技术将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺、一炉三棒等先进工艺。这两年保利协鑫硅片产量提升的原因在于精细化管理和工艺技术
还将基于S4的多晶技术平台进行持续提升,推出更加高效的多晶新品。
而硅片领域的一系列技术进步,则成为成本降低的重要推动力。在多晶领域,更大铸锭炉型的改造及普及,金刚线切割多晶硅片工艺的导通及客户
接受程度的提升将成为主要因素。单晶硅片将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺,一炉三棒工艺预计会更加普及。
汪博士以保利协鑫的技术进步作介绍
还将基于S4的多晶技术平台进行持续提升,推出更加高效的多晶新品。而硅片领域的一系列技术进步,则成为成本降低的重要推动力。在多晶领域,更大铸锭炉型的改造及普及,金刚线切割多晶硅片工艺的导通及客户接受程度的
提升将成为主要因素。单晶硅片将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺,一炉三棒工艺预计会更加普及。汪博士以保利协鑫的技术进步作介绍,2015年G7铸锭炉
。以金刚线切割的多晶硅片为基础,正面是低反射率的亚微米级绒面,结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化,形成PERC电池结构,大大改善背表面的钝化效果。低反射率的
金刚线切割的多晶硅片硅材料损失较少,单位时间内的切片数增加,在成本上比常规砂浆线切割的多晶硅片有优势。而且其机械损伤较少,相应的缺陷密度较小。但是用常规的酸制绒手段不能实现有效的绒面制备。金刚线切割的
18.5%,单晶硅电池有望达到20%,主流组件产品功率将达到265270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产,单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步,金刚线切割技术将得到进一步
如图7所示。以金刚线切割的多晶硅片为基础,正面是低反射率的亚微米级绒面,结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化,形成PERC电池结构,大大改善背表面的钝化效果
金刚线切割的多晶硅片硅材料损失较少,单位时间内的切片数增加,在成本上比常规砂浆线切割的多晶硅片有优势。而且其机械损伤较少,相应的缺陷密度较小。但是用常规的酸制绒手段不能实现有效的绒面制备。金刚线切割