金刚线切割
明，多晶产品转换效率20%瓶颈已经被突破。近两年，金刚线切在多晶领域大规模推广，有效降低了多晶的生产成本，但是因表面洁净度高，光反射率也高。黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低金刚线切割
G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。 多家企业走出去 据工业和信息化部数据统计，2015年19月，我国光伏相关行业投资
有望达到20%，主流组件产品功率将达到265W270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC
%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265W270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC
%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265W270W。硅烷流化床 法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用
。新的技术很受到电池厂商欢迎因此成为目前主流。 对于目前热议的金刚线切割技术，梁学勤提出了自己的观点：金刚线切单晶已经得到大规模推广应用，促进成本下降。多晶与单晶比较大的差异是，与现有技术不兼容
金刚线切割设备、多晶硅电池的制绒、湿法腐蚀设备和自动插片机设备等，主要依赖进口。 其次，从中游组件生产来看，行业产能利用率出现分化，盈利能力有所提升。 2015年我国组件产量达到35GW，同比
于25美元/公斤的多晶硅优质产能不足，在进口多晶硅的低价冲击下出现了全行业亏损的状况；三是在多晶硅电池设备方面，国内还不能实现完全自主配套。如硅片金刚线切割设备、多晶硅电池的制绒、湿法腐蚀设备和自动插片
于25美元/公斤的多晶硅优质产能不足，在进口多晶硅的低价冲击下出现了全行业亏损的状况；三是在多晶硅电池设备方面，国内还不能实现完全自主配套。如硅片金刚线切割设备、多晶硅电池的制绒、湿法腐蚀设备和自动插
于25美元/公斤的多晶硅优质产能不足，在进口多晶硅的低价冲击下出现了全行业亏损的状况；三是在多晶硅电池设备方面，国内还不能实现完全自主配套。如硅片金刚线切割设备、多晶硅电池的制绒、湿法腐蚀设备和自动插片
