金刚线产能

同样的切片工艺条件下表面缺陷少于多晶，在电池制造环节，单晶电池的碎片率也是小于1%的，通常情况下是0.8%左右。单晶硅片可以稳定应用金刚线切割工艺，显著降低切片成本，并提高电池转换效率。对多晶而言
，晶体结构的缺陷导致在电池环节的碎片率一般大于2%，并且硅片切割工艺的改进难度很大，因为它没法用金刚线切割，只能用传统的砂线来切，成本上基本没有多大的下降空间。电学性能差异图3是单多晶的少子寿命对比。蓝色

随着2014年我国新能源发展战略行动的进一步推进，ink"光伏行业持续复苏。但是，由于前几年光伏产能的严重过剩，光伏企业只是释放了部分产能，还是处于供大于求的状态，产品价格尚处于激烈的竞争压价中
炉等产品取得的技术突破外，晶盛机电还推出了应用于晶体加工智能化设备新产品。其中有晶棒单线截断机、单晶硅棒切磨复合加工一体机；晶棒单线截断机是采用金刚线切割方式进行单晶硅棒截断加工的专用设备，可实现从上料

效率。目前隆基股份的金刚线切割占到整个生产线的50%，到今年年底我们全部的产能都会转为金刚线切割。单晶具备成本持续降低的技术基础，替代多晶有了支撑点，所以我们一定要快速介入到这个市场。笔者：您觉得单晶

贝尔实验室。又逾四年，其初用于太空也。 时单晶生长技术终日为产能与成本所累，直拉单晶炉技术瓶颈之突破亦举步维艰也。为辟蹊径，基于浇铸工艺与定向凝固工艺之多晶铸锭应运而生，然限于位错密度及除杂之困
极限；SunPower藉背接触单晶技术，亦已逾23%之量产效率。单晶超强之发电效率，并金刚线切片致超薄硅片技术，终致单晶与多晶之成本差异步步紧缩，至电站终端，投资之本钱已无二致。 较于成本高昂之

实验室。又逾四年，其初用于太空也。时单晶生长技术终日为产能与成本所累，直拉单晶炉技术瓶颈之突破亦举步维艰也。为辟蹊径，基于浇铸工艺与定向凝固工艺之多晶铸锭应运而生，然限于位错密度及除杂之困，多晶电池之
逾23%之量产效率。单晶超强之发电效率，并金刚线切片致超薄硅片技术，终致单晶与多晶之成本差异步步紧缩，至电站终端，投资之本钱已无二致。较于成本高昂之异质结、背接触技艺，单晶背钝化工法之横空出世更令

单晶圆棒经过切方机被加工成单晶方棒，单晶方棒进入切片机再经金刚线切割成厚度130180微米的硅片，切好的硅片经过超声波清洗机去污干燥后，经质量检测就可包装发往太阳能电池企业。这些单晶硅片有75% 将
销往韩国、日本、美国等地。 西安隆基硅材料股份有限公司是全球规模较大的单晶硅制造商，即使在行业低谷期也保持着逆势增长，近4年年复合增长率达75%。仅去年一年，单晶硅片产能达3GW。海外技术路线

在那个年代，以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限，单晶电池成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向
新增容量即超过1GW。在这一时期，多数企业认为单晶工艺本身的复杂性导致其产能难以快速扩张，而多晶铸锭依靠标准化的自动生产设备以每年60%以上的速度扩产，迅速满足了全球光伏市场爆发式增长的需求

高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，4年后首次在太空应用。然而在那个年代，以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限，单晶电池
全球累计光伏装机突破1GW，其后以每年40%左右的速度增长，2004年新增容量即超过1GW。在这一时期，多数企业认为单晶工艺本身的复杂性导致其产能难以快速扩张，而多晶铸锭依靠标准化的自动生产设备以每年

高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，4年后首次在太空应用。然而在那个年代，以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限，单晶电池
全球累计光伏装机突破1GW，其后以每年40%左右的速度增长，2004年新增容量即超过1GW。在这一时期，多数企业认为单晶工艺本身的复杂性导致其产能难以快速扩张，而多晶铸锭依靠标准化的自动生产设备以每年

总体发展展望：产业规模持续扩大，产业集中度进一步提升 随着下游应用市场的不断扩大，我国光伏产业规模也将持续扩大。多晶硅方面，市场需求稳步提高，我国新增产能投产和复工
产能利用率逐步提升，预计我国多晶硅产量将达到14万吨，产品价格维持在22美元/kg，企业仍将承受低价压力。在电池组件方面，随着光伏行业的整体好转以及由于组件价格下降使得光伏发电成本不断逼近平价上网，预计