量产金属化技术

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AZZURRO成功实现150mm(6吋)晶圆GaN-on-Si制造 可显著降低LED成本来源: 发布时间:2011-06-27 18:39:46

MOCVD(有机金属化学气相沉积法)机台,将于2011年10月完成量产设置,预计能达到每月1,400片150mm(6吋)晶圆的出货量。未来仍将持续扩充产能,规划2013年达到每月1万片晶圆,以及2015年
索比光伏网讯: AZZURRO半导体成立于2003年,具有专利的大直径硅基板氮化镓(GaN-on-Si)技术,该技术源自德国Magdeburg大学,在2010年10月获得包括 Wellington

《光能》封面:2011年6月刊 天合的“三驾马车”——天合光能以“成本、质量、研发”跨入快车道来源:Solarbe.com 发布时间:2011-06-09 16:57:47

。这也在一定程度上反映了天合对科研工作的重视。 截止到2009年年底,常州天合光能已经申请国家专利96项。其中发明31项,领先所有国内同行业其他企业。在2009年中就利用独有的金属化和钝化技术
三要素:领先的技术、卓越的营运,天合产业园的合作伙伴。 我们的检测比国际标准严格得多。 中国的2020年光伏发展目标已经从20GW上调至50GW。 在天合光能(以下

2011年6月刊——天合的“三驾马车”——天合光能以“成本、质量、研发”跨入快车道来源:Solarbe.com 发布时间:2011-06-01 11:30:25

年年底,常州天合光能已经申请国家专利96项。其中发明31项,领先所有国内同行业其他企业。在2009年中就利用独有的金属化和钝化技术突破了18.8%的光电转化效率。2010年,天合和英利做为南方和北方
在里面。 摘要:在美国要不要建工厂不取决于我们,取决于在美建厂后,能不能给客户带来低成本、高质量的组件。 低成本三要素:领先的技术、卓越的营运,天合产业园的合作伙伴。 我们

天合光能以“成本、质量、研发”跨入快车道来源: 发布时间:2011-05-31 23:59:59

国家专利96项。其中发明31项,领先所有国内同行业其他企业。在2009年中就利用独有的金属化和钝化技术突破了18.8%的光电转化效率。2010年,天合和英利做为南方和北方光伏企业的代表赢得了建造国家级
的意思在里面。摘要:在美国要不要建工厂不取决于我们,取决于在美建厂后,能不能给客户带来低成本、高质量的组件。低成本三要素:领先的技术、卓越的营运,天合产业园的合作伙伴。我们的检测比国际标准严格得多

与客户一起研发——访Alchimer CEO Steve Lerner来源:SEMI 发布时间:2011-02-21 09:57:57

和金属薄膜。该淀积技术可以使高深宽比TSV金属化的总拥有成本与传统干法工艺相比最多降低三分之二,并且可以缩短上市时间。 与大多数人一样,Steve Lerner见证了半导体产业如何在金融危机中生存的
开发阶段就可以优先考虑客户和市场的需求。 “代工模式为半导体芯片制造带来了便利,但是对于绝大多数foundry来说,设备一旦选定并投入量产,就很难再轻易变更,这主要是出于工艺稳定连续性和成本的考量

Dyesol公司与优美科合作开发染料太阳能电池来源: 发布时间:2010-11-17 13:45:59

Dyesol公司(ASX:DYE)近日与优美科(Umicore,EBR:UMI)签署了一项合作意向书(LOI),两家公司目前正在商讨建立产业联盟,双方将合作开发并量产钌配合物染料和其他具有潜力的
金属化学制剂,并向全球染料太阳能电池(DSC)市场销售。在该合作意向的基础上,双方将在2010年年底前签署正式的合作协议。Dyesol董事会执行主席理查德.考尔德韦尔(Richard Caldwell

浇铸多晶硅片比重上升 单体电池成本下降来源: 发布时间:2009-02-11 11:13:59

技术。设备主要依赖进口。丝网印刷工艺主要分正面和背面金属化工艺。其中正面栅状电极的设计思路主要从有效收集电流、减小遮光面积以及组件焊接方便来考虑;背面金属化的目标是在背面形成一层铝背场钝化层来提高开路

太阳能持续升温 业内人士共商前景来源:Solarbe.com 发布时间:2008-07-17 08:45:45

。 现有化工材料商、半导体设备商等因应太阳能技术提升需求,开发先进的太阳能下一代制造技术,以其在半导体,液晶显示器及印刷电路板的产业经验,提供金属化电镀技术,细线路影像转移技术量产化及低成本等解决方案

化合物半导体可提升硅基太阳能电池效能来源: 发布时间:2008-04-02 10:47:59

太多成本。然而他也坦承,分子束外延对于讲究高产量与低成本的应用并非理想的方法,因此计划后期将致力于将此技术转化成可量产的制程,例如有机金属化学气相沉积技术(MOCVD),并且希望在三年内将这项技术由实验室转移至生产线。

薄膜晶体硅太阳能电池的潜力来源:Sichinamag 发布时间:2007-12-20 10:27:08

(PV)产业正期待着一些处于研究开发中的选择方案。其中最显然的一种就是转向更薄的硅衬底。现在,用于太阳能电池生产的硅衬底厚度略大于200mm,而衬底厚度略小于100mm的技术正在开发中。为使硅有源层薄至
存在几种制造硅有源层的技术1,本文将讨论其中的三种。   薄膜PV基础   第一种技术是制作外延(epitaxial)薄膜太阳能电池(图1),从高掺杂的晶体硅片(例如优级冶金硅或废料)开始,然后