迁移

。12.石墨烯制备新型高效太阳能光伏电池石墨烯的电子迁移率是硅的100倍，具有卓越的强度和透明度，97.7％的光可被传输，是一种理想的电极材料。极高的电子迁移率使石墨烯具有理想的条件，电子穿过石墨烯时
，大约有100倍的迁移率，这是对比硅而言，石墨烯还具有卓越的强度，而且事实上，它几乎是透明的（2.3％的光可被吸收；97.7％的光可被传输），这些都使它成为理想的候选材料，可用于光伏领域，超薄透明石墨烯膜

采购、就近组装的原则,尽量从本地采购零部件。因此,下游制造产业的迁移也将对处于中游的硅棒硅片产业的布局产生直接影响。中国太阳能电池产量的增加必然会增加对国内太阳能硅棒硅片的需求,进而带动整个太阳能硅棒

太阳能电池终端产品的制造也在逐步向国内转移。出于降低成本的考虑，终端产品制造商一般采取就近采购、就近组装的原则，尽量从本地采购零部件。因此，下游制造产业的迁移也将对处于中游的硅棒硅片产业的布局产生直接影响

采取就近采购、就近组装的原则，尽量从本地采购零部件。因此，下游制造产业的迁移也将对处于中游的硅棒硅片产业的布局产生直接影响。中国太阳能电池产量的增加必然会增加对国内太阳能硅棒硅片的需求，进而带动整个

日趋活跃。报告认为，中国的研发投入已跻身世界前列。尽管高收入国家仍是全球研发支出的主体，但创新的地理区域已开始发生迁移。19932009年，中低收入经济体在全球研发支出中所占份额增加了13%，中国在其

变化中的创新》的报告，并提出，以中国为代表的发展中国家，研发和创新日趋活跃。　　报告认为，中国的研发投入已跻身世界前列。尽管高收入国家仍是全球研发支出的主体，但创新的地理区域已开始发生迁移

迁移率、高透光性、高强度等众多优异的物理化学性质，在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用。目前制备高质量石墨烯的方法主要有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气
转移到Si/SiO2基体上的单晶石墨烯制成场效应晶体管，测量出该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100cm2V-1s-1（图4），并有望通过使用氮化硼基体得到进一步提高。金属基体上大尺寸单晶

转换效率，同时还能降低增多现场可消耗和非可消耗材料所带来的供应链成本。该公司的目标是在2012年底将非硅生产成本降低到0.6美元/瓦。技术迁移成本的下降于向高电池效率的迁移息息相关。天合光能表示2012

分别位于印度的古吉拉特邦、拉贾斯坦邦和奥里萨邦。据该公司称，2011年4季度拉贾斯坦邦焦特布尔5MW工厂项目、3季度NVVN迁移计划项目以及古吉拉特邦30MW项目也已完成并投入运营
将光伏电池效率提升到21%。” Moser Baer Solar此前曾计划在2012年1月利用MIST(金属和固有层半导体技术)技术迁移到高效电池技术。Moser Baer还强调，2012年

布尔5MW工厂项目、3季度NVVN迁移计划项目以及古吉拉特邦30MW项目也已完成并投入运营。Moser Baer Solar Systems首席执行官K.N Subramaniam表示：截止2011年
固有层半导体技术)技术迁移到高效电池技术。Moser Baer还强调，2012年1月印度地面支架光伏项目需求强烈。他们表示上个月光伏安装量达到120MW，并承认古吉拉特邦太阳能计划下已经调试安装了600MW光伏发电设备。