超薄晶硅
，保障了HIT-N235S310组件235W的输出功率。该组件自身的总体转换率为18.6%。 HIT系列产品所用电池的结构是由一个被多个超薄非晶硅层包裹的单晶硅片所构成的，此种结构可实现超高的转换率和超
，我们用超薄AAO模板在玻璃衬底上制备了Ag纳米点，研究了氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜因这些Ag纳米图形而增强的光吸收。
实验
AAO模板是在0.3M草酸(C2H2O4)溶液通过铝片的二步法阳极氧化
导读： 采用阳极氧化的超薄氧化铝(AAO)膜作为淀积掩膜被认为是低成本制作纳米图形的潜在方法，因为它们在大面积上的面密度高，且尺寸分布窄。本研究中，我们用超薄AAO模板在玻璃衬底上制备了Ag纳米点
取得世界晶硅电池的最高效率。 2.5 隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池 德国Fraunhofer研究中心在电池背面利用化学方法制备一层超薄氧化硅(～1.5nm)，然后再沉积一层掺杂多晶硅
的阈值也将来临，届时同铸锭单晶一起瓜分大部分单晶市场。 但一个不确定因素还在超薄硅片环节，以前多晶组件成本受限的重要原因之一在于单晶硅片可以切得更薄，达到90-110m，而多晶硅片在这方面则因为材料
4cm2的FZ硅片上获得了25.7%的转换效率。
对于TOPCon结构的钝化接触机理，目前尚无统一的看法，一般认为超薄氧化层和掺杂多晶硅层对钝化接触的性质都有影响，良好的表面钝化来自氧化层的化学钝化
和高掺杂多晶硅的场致钝化效果。而良好的接触则来自缺陷辅助隧穿机制或氧化层上的微孔。
TOPCon结构由超薄氧化层和掺杂多晶硅构成。超薄氧化硅层的形成目前主要有热氧化生长和HNO3氧化(NAOS)两种
太阳电池转换效率达到22%以上，在国内处于领先水平。
刘正新在日本工作了16年多，曾把球形硅太阳能电池的转换效率从7%以下提高到12%以上;还曾在厚度为100微米的单晶硅片上，取得了17.3%的转换效率
。使我国成为继美、英之后，第三个掌握这种技术的国家。中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心制备的超薄柔性晶体硅异质结(SHJ)太阳电池首次成功应用于该机的能源系统，整个试飞过程中该型
背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构为硅片背面提供表面钝化的同时，遂穿氧化层作为选择性传输层可以极大地降低传统电池背面电极金属接触的复合电流，提升
提升材料纯度。目前，改良西门子法仍是主流的多晶硅制备方法，以其技术成熟度高、安全性好等优势，市场应用占比超过95%，并且未来一段时间仍将占据主导地位。
② 硅碇切片环节：采用新的硅片切割方法，如用
设计，N型半片组件(60片电池)的输出功率创下了387.6W的世界纪录。
关于TOPCon技术
TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者
共同形成了钝化接触结构。该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流
、组件大规模量产的企业，对MWT技术的发展起到了极大的推动作用。结合PERC、超薄硅片等技术，日托光伏有望将单、多晶电池平均效率分别做到22%和21%以上，可谓潜力巨大。MWT电池不但性能优异，而且颜值
太阳能电池技术，钙钛矿太阳能电池一直被视为未来可以取代晶硅电池的新方向。相对于晶硅组件，钙钛矿组件制备成本低，而且具备更加优异的半导体性能。其材料性能达到90%左右即可实现20%以上的光电转换效率，而
中来N型单晶双面TOPCon电池技术基于N型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，电池的背表面为H型栅线电极，可双面发电。
中来N型单晶
显著的钝化效果;超薄隧道氧化层层将n型晶体硅衬底与掺杂多晶硅隔开，由于SiOx界面层很薄，不会阻碍多数载流子的传输但会阻碍少子达到界面，可以显著减低界面的复合，电流密度J010fA/cm2，电池的开路
