西门子化学气相沉积反应器
年四月，IDEA宣布，其将在沙特阿拉伯建设一家多晶硅工厂。最初，其考虑使用Schmid Silicon Technology的甲硅烷化学气相沉积(CVD)，之后其转变为Sitec
扩大1200MT。预计将于2016年第一季度重新启动去年闲置的Silane I。据说由于在光伏和平板显示器市场的强劲需求，对于硅烷的需求稳健。硅烷被用作西门子多晶硅生产的原料气。REC Silicon
沙特阿拉伯建设一家多晶硅工厂。最初，其考虑使用SchSiliconTechnology的甲硅烷化学气相沉积(CVD)，之后其转变为Sitec(CentrothermGroup)的三氯氢硅CVD概念(西门子法
Technology的甲硅烷化学气相沉积(CVD)，之后其转变为Sitec (Centrotherm Group)的三氯氢硅CVD概念(西门子法)。 显然，IDEA已经意识到现在并非进入
? 多晶硅制造方法： 改良西门子法 1955年，德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3)，在加热到1100℃左右的硅芯(也称硅棒)上沉积多晶硅的生产工艺
生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。该工艺将工业硅粉与HCl反应，加工成
为三氯氢硅原料，剩余约5%含杂质四氯化硅经提纯后用于生产气相白炭黑或其他有机硅产品，真正做到物料闭式循环利用，既有效解决了副产物处理难题，也降低了生产成本，消除了四氯化硅的污染隐患。 多晶硅三废
业遇到困境之时，国内部分企业纷纷将目光转向更加陌生的硅烷法多晶硅生产工艺，西门子法或硅烷法究竟孰优孰劣？ 历史起源 1955年，德国西门子开发出以氢气还原高纯度三氯氢硅，在加热到1100℃左右的硅
究竟孰优孰劣?历史起源 1955年，德国西门子开发出以氢气还原高纯度三氯氢硅，在加热到1100℃左右的硅芯上沉积多晶硅的生产工艺;1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产，被称为西门子法
供货商。铂阳在非晶硅薄膜生产上拥有33项自主注册专利和技术秘密，主要专利技术集中于其沉积设备上。铂阳拥有世界上最大的化学气相沉积装置，单室沉积数量为72片电池，沉积面积达到57平方米/炉，光伏电池的尺寸
冶金硅（纯度要求在99.5%以上）与氯化氢（HCl）合成产生便于提纯的三氯氢硅气体（SiHCl3，下文简称TCS），然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积（CVD）将高纯度的TCS转化
(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度
