表面钝化

方面，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC的背面钝化成熟技术，还有多晶金钢线切降本加之黑硅表面制绒工艺处理技术结合会让多晶的成本优势继续扩大。晶科的目标是单多晶会同时发展，不是我们不做单晶，而是我们
技术发展和成本方面，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC的背面钝化成熟技术，还有多晶金钢线切降本加之黑硅表面制绒工艺处理技术结合会让多晶的成本优势继续扩大。晶科的目标是单多晶会同时发展，不是我们不做单晶，而是我们要给客户行业最好的单晶，就像我们给客户行业最好的多晶一样。

反射涂层的存在，所产生的电场抵消了钝化工艺，从而增加了表面重组、降低了功率输出。离子还可能扩散至硅层，造成发射区域反型，导致电池分流，如图一所示。同样地，在一些薄膜组件中，PID被与金属离子在边框和
。Bauer等人发现，在使用特定EVA和氮化硅抗反射涂层(ARC)时，受到PID影响的组件通常会出现钠离子从前表面向太阳能电池的迁移。对此的一个解释是，在迁移过程中，带电离子在电池表面聚集，产生电场，并且由于抗

的关键特性在于其优越的钝化层，可弥补硅衬底表面区域的诸多瑕疵。*6 利用太阳能电池背面的电极消除正面电极阴影损失的技术，可更有效地利用太阳光。
膜板打开的采光面积(11,562 cm2)。*4 SunPower（美国），2015年11月。根据太阳能电池效率表（47版）判断 *5 太阳能电池所需的层结形成技术，利用非晶硅层覆盖硅衬底表面。该技术

，由于对电池进行了双面钝化，背面电极采用局域接触的形式，有效地降低了表面复合，减少了电池的翘曲断裂。另外，对电池背面进行了抛光处理，提高了对长波的吸收。PERC电池制作流程如图1所示。目前，国内晶体硅电池
特定复合速率下的硅片厚度，即可得到同一复合速率下不同厚度的硅片模拟效率。JSchmidt通过ALD沉积Al2O3钝化膜，将表面复合速率降低至20cm/s。硅片抛光后，结合高效的钝化膜可以将表面复合降低

发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷扩散相比，为了获得
发射结浓度分布、均匀性、表面钝化等技术难题已经解决。随着市场对电池效率的要求越来越高，P型电池的效率瓶颈已越发明显。N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势，具有更大的效率提升空间和稳定性

的选择、电池片效率的一致性、颜色的一致性，焊带的含铜(或银)量，钢化玻璃的透明度和表面钝化处理，EVA的粘合强度、抗老化性能，背板的防水性、抗老化性，硅胶的粘度、密封性、抗老化性，铝合金的型号、断面
靛蓝色，表面有随机的、不同颜色深度的花斑，且其形状为正方形，直角上略有抹角。而单晶硅一般为深灰色，形状为带有较大圆抹角的方形。 不管是单晶硅电池组件还是多晶硅电池组件，由于材料选择、生产工艺

一致性、颜色的一致性，焊带的含铜(或银)量，钢化玻璃的透明度和表面钝化处理，EVA的粘合强度、抗老化性能，背板的防水性、抗老化性，硅胶的粘度、密封性、抗老化性，铝合金的型号、断面特征等。这些质量上的差别
略高于单晶硅。因此在家用系统中，多晶硅电池的使用较单晶硅更普遍一些。但单晶硅电池因为效率更高，其生产成本也在逐渐降低，因此也渐渐为更多的追求性能的家庭用户所选择。从外观上观察，多晶硅组件一般为靛蓝色，表面

"光伏前沿技术领域的热点，主要是在电池的背表面通过原子层沉积的方法生长一层氧化铝膜，通过氧化铝膜富含负电荷的特性对背表面实现良好的钝化作用，同时通过激光开槽的方法对背表面生长的叠层膜进行定位开孔，从而

的原因在于： （1）双面钝化：电池正面和背面都覆盖着热生长的SiO2层。发射极的表面钝化，一方面降低了表面态，另一方面减少了前表面的少子复合。而背面钝化的增加，使反向饱和电流密度Jo下降，同时

太阳电池生产过程中，部分晶体硅太阳电池难免会因为各种原因导致局部漏电，甚至短路。晶体硅片在制作生产过程中导致局部漏电主要原因为1）通过PN结的漏电流；2）沿电池边缘的表面漏电流；3）金属化处理后沿着
；3）印刷擦片或漏浆。对上述三方面进行实验研究，在研究过程中发现除了以上三种漏电原因外，还有Si3N4颗粒、多晶晶界等也会造成电池片漏电。1、刻蚀不完全或未刻蚀造成的漏电扩散工艺中在硅片的上表面和周边都