薄膜硅

),开路电压(Voc)降低，使得组件的性能低于设计标准，发电能力也随之下降。2010年，NREL和Solon证实了无论组件采取何种技术的P型晶硅电池，组件在负偏压下都有PID的风险。 图 1
变化 目前光伏行业内解决PID的方法，主要采用优化光伏组件电池材料，使用密封性更好的封装材料和薄膜发电组件负极接地的方式，另外还有附加PID修复装置的做法。 PID修复装置与逆变器直流输入并联，在

保障措施调查初裁，认为进口光伏产品的增加与印度光伏产业遭受的严重损害有直接关联。印度保障措施总局建议如下：1、在最终结果确定前，对于进入印度的太阳能光伏产品(包括晶体硅电池及组件和薄膜电池及组件)征收
一、发展情况 1.产业规模 从进出口规模看，2017年，我国光伏产品出口总额为145.3亿美元，同比增长3.6%;多晶硅进口量15.6万吨，同比增长14.7%。受全球光伏

升高一度，光伏组件的发电量降低0.38%左右。而薄膜太阳能电池温度系数会好很多，如铜铟镓硒(CIGS)的温度系数仅为-0.1~0.3%，碲化镉(CdTe)温度系数约为-0.25%，均优于晶硅
光伏组件的温度特性 光伏组件一般有3个温度系数：开路电压、短路电流、峰值功率。当温度升高时，光伏组件的输出功率会下降。市场主流晶硅光伏组件的峰值温度系数大概在-0.38~0.44%/℃之间，即温度每

的力量 而汉能这种独特定位的产生，要追溯到2009年，其创始人李河君在进军光伏界时作出的选择。他没有选择最主流的材料晶硅，而是选择投资薄膜太阳能;没有仅仅满足于低成本的生产制造，而是通过跨国技术并购
如是说。经过近十年的努力，现实证明了汉能选择这条不讨巧的技术路线的意义所在。 徐晓华认为，虽然531新政来得比预想的要早，比预想的猛烈与残酷，但是中国光伏企业，不管是晶硅还是薄膜，在近20年的时间

光伏建筑一体化方面的进行技术研发，针对地震活跃地区嵌入式光伏系统需具备的与建筑有机集成、高抗震性能、高居住舒适度等特点，开展了关于晶硅电池材料与组件、薄膜电池材料与组件、聚光器的一系列研究，为我国
及其双玻组件、低光衰高效率背面钝化单晶硅太阳电池及组件等多项产品以及技术加快了光伏评价上网的步伐。 苏州腾晖光伏2017年与四川大学谢凌志教授签订科技副总协议，期间，谢教授协助腾晖在村镇民居嵌入式

有机薄膜电池因具有高效、低成本、轻柔、可采用全溶液法制备等优点，引起了国内外研究学者的广泛关注。目前电池的光电转换效率取得了巨大发展，展现出产业化的开发前景。要实现有机光伏的产业化和商业化，必须
发展低成本、连续卷轴印刷工艺。对于印刷薄膜光伏而言，可印刷界面材料是实现高效印刷光伏的关键材料之一。 在有机太阳能电池中常用的溶液法界面材料为金属氧化物纳米材料和聚合物/小分子类有机界面层材料。这两类

基于函数的数据库，将实验获取的C-V 曲线与数据库进行比对找出实验数据对应函数，提取出钝化参数Nf和Dit，并以此分析钝化层的钝化效果。 一 MOS模型建立 为了更好地研究晶体硅钝化层的钝化
性能，本文建立了一个金属氧化物模型来提取出氧化物和硅界面处的固定电荷密度Nf 和缺陷密度Dit，而这两个因素则通过C-V 特性测试图体现出来。先是输入原始界面态的Nf 和Dit 数值、C-V 测试结果

》。 在我谈五年之前我们先看一个大的跨度。这个图显示了多晶、单晶、薄膜三个主要光伏技术方向所占的市场份额。大家看到在整个20年时间里面，基本趋势是晶硅技术鲜花盛开，中间多晶、单晶的花朵开的一样的红，一样的
?怎么样看到峰回路转，柳暗花明。我想在座的只要是在各个公司中做研发的人，一定都有这样的经历和体会。 黑硅多晶叠加金刚线完全是在不经意中摸到了新时代之门。阿特斯做黑硅多晶是业内原创。我们2011年立项

协鑫再添猛料：纯度99.999999999%，国产电子级多晶硅量产 6月6日，记者从江苏鑫华半导体材料科技有限公司获悉，经过一系列严格的验证、检测，近日一批纯度达到99.999999999
%集成电路用高纯度硅料出口韩国，同时也向国内部分晶圆加工厂批量供货。这标志着我国半导体集成电路用硅料已经达到国际一流质量标准，也是我国多晶硅制造企业首次向国际市场出口集成电路用高纯度硅料。 据悉，电子级

直接影响用户端变压器的功能和寿命。 功能性接地(Functional Earthing)主要是一部分组件，比如薄膜电池(Thim Film)和背面电池(Back Contact)为了正常运行，需要
将正极或负极接地来引流走堆积的电子，抵抗自身的bar-graph腐蚀。早几年的薄膜组件如果不功能性接地几乎就不能用，工作效率在短时期内会大幅度下降。近几年因为一批组件商在制作电池板的时候，忽视了电压诱导