薄膜硅电池
表面复合中心;(2)硅片在切片过程中表面留下的切割损伤，造成很多缺陷和晶格畸变，增加了更多的复合中心;(3)硅片表面吸附的带正、负电荷的外来杂质，也会成为复合中心(见图1)。
2.表面钝化介质薄膜研究
2.1SiNx薄膜钝化研究
SiNx薄膜的制备方法有多种，从工艺效果和工业化生产来考虑，目前应用于太阳能电池生产的制备方法主要是等离子增强化学气相沉积(PECVD)法，PECVD方法的过程是在
发展规划》提出:积极发展先进晶硅电池、智能逆变系统,发展高效光伏组件、薄膜电池、太阳能集成应用及跟踪系统,着力提高光电转换率;加快推进超级电容器、TFTOLED(薄膜晶体管有机发光二极管)玻璃基板、低成本
制绒。多晶黑硅电池的整个制作工艺简单，不对硅片造成额外的损伤，使多晶组件可在各种使用条件下保持可靠性，保证了多晶组件在光伏电站整个生命周期发电量的稳定。
PERC电池：Passivated
都在电池背面，光线利用率提高。
HIT电池：Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer(本征-薄膜异质结),其特征为在晶体硅和掺杂薄膜硅之间插入一层本征非晶硅
正常硅片大小。这需要进行大量的工程设计，不过可以借助晶硅电池、薄膜电池及蓄电池生产中成熟的沉积技术，因此该项挑战不至于成为根本性障碍。
挑战3
钙钛矿通常含有铅、铯等剧毒元素。目前，这一点不会影响
晶硅电池的工艺将双结叠层电池连接起来，形成电池组件。另一种方法是将顶电池和底电池分开，制成两个组件，然后再串联叠放并封装在一起。底电池组件的敷设多多少少有标准可循。顶电池组件可采用薄膜叠瓦技术。这种方法的
第二项挑战在于要将不足1cm的实验室级电池提升到正常硅片大小。这需要进行大量的工程设计，不过可以借助晶硅电池、薄膜电池及蓄电池生产中成熟的沉积技术，因此该项挑战不至于成为根本性障碍。
挑战3
晶硅PERC(钝化发射极及背接触)电池是目前最先进的太阳能电池技术之一，其量产转换效率已达到22%，并且相较薄膜电池或传统铝背场(BSF)电池， PERC电池的度电成本优势显著。
当前的问题是
光伏制造企业及项目产品则应满足一系列技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换
。温升损失不但受环境温度的影响，也同光伏电池的种类相关，普通晶硅电池的功率温度系数大约在-0.40% ~ -0.45%，NOCT45度时，温升损失大约在8% ~ 9%；HJT和薄膜电池的功率温度系数
损失不但受环境温度的影响，也同光伏电池的种类相关，普通晶硅电池的功率温度系数大约在-0.40% ~ -0.45%，NOCT45度时，温升损失大约在8% ~ 9%；HJT和薄膜电池的功率温度系数大约在
，我们当时假设多晶铸锭做到零成本，单晶站在度电成本这个角度仍有优势。这也是为什么这么多年我们一直走单晶路线的一个根本原因。
李振国带领团队对行业未来的技术路线进行了缜密的研究，分析了薄膜电池与
晶硅电池未来对发电成本的影响，也分析了晶硅电池中单晶电池路线与多晶电池路线，同时还分析了使用的原料到底应该是物理提纯还是西门子法;比较了聚光电池(CPV)与晶硅电池的发展趋势，最后得出结论： 未来光伏发电
，一类是应用于晶硅电池的超白压延玻璃，另一类是应用在薄膜电池上的透明导电氧化物镀膜玻璃(TransparentConductingOxide,TCO)，目前，由于晶硅电池为主流，所以超白压延玻璃市场份额
