薄膜电池转换效率

薄膜太阳能电池不仅成本下降的空间较大，转换效率也可以逼近晶体硅，薄膜电池的生产成本低于1美元/瓦，使得在建筑物上大面积铺设光伏组件成为可能，受到建筑业的广泛青睐。其次，薄膜电池具有良好的弱光性，受温度和环境

，并可弱光发电，相比于多晶硅技术，可增加1015%的发电量。业内有关专家表示，与多晶硅技术相比，薄膜电池的光电转换效率要差一些。多晶硅的最高效能为15%至16%，薄膜电池则只能达到78%，如果达到10

6月12日，台湾采鑫能源科技股份有限公司与四川攀枝花市政府正式签订投资合作意向书，拟投资2亿美元在该市建设西南地区首个CIGS（铜铟镓硒）太阳能薄膜电池项目。台湾采鑫能源科技股份有限公司在太阳能开发
利用方面拥有先进的技术和丰富的经验，其产品CIGS太阳能薄膜电池目前已投入规模生产，并处于世界领先水平。攀枝花属南亚热带为基带的立体气候类型昼夜温差大，气侯干燥，日照长，太阳辐射强，为太阳能的开发利用

欧美国家，已通过了优惠的上网电价法，随着具有40%转换效率的Ⅲ-V族半导体多结太阳能电池的普及和成本下降，高倍聚光光伏电池市场进入快速增长期。与前两代电池相比，HCPV采用多结的砷化镓电池，具有宽光谱
吸收、高转换效率、良好的温度特性、低耗能的制造过程等优点，使它能在高倍聚焦的高温环境下仍保持较高的光电转换效率。高倍聚光光伏系统技术门槛较高且行业跨度大，涵盖半导体材料及工艺制造、半导体封装、光学设计

下降，市场竞争力弱。三类薄膜电池齐头并进各有千秋当前普通晶体硅太阳能电池光电转换效率约为16%～18%，实验室最高效率是25%(面积4cm2)。双结硅基薄膜太阳能电池的实验室最高效率为11.9
薄膜电池因其工艺的集成度高，从电池到组件几乎是同步完成的，转换效率几乎没有损失。可见高品质的薄膜光伏组件可以达到晶体硅光伏电池的性能。晶体硅电池中硅材料占总成本的30%～50%，电池成本严重受限于产业链

兼容性不理想，设备与工艺的集成度不高，导致产品良品率低，成本难以下降，市场竞争力弱。　　三类薄膜电池齐头并进各有千秋当前普通晶体硅太阳能电池光电转换效率约为16%～18%，实验室最高效率是25%(面积
和电学损失，组件的光电转换效率还要降低1～3个百分点左右。而薄膜电池因其工艺的集成度高，从电池到组件几乎是同步完成的，转换效率几乎没有损失。可见高品质的薄膜光伏组件可以达到晶体硅光伏组件的性能

，随着具有40%转换效率的Ⅲ-V族半导体多结太阳能电池的普及和成本下降，高倍聚光光伏电池市场进入快速增长期。与前两代电池相比，HCPV采用多结的砷化镓电池，具有宽光谱吸收、高转换效率、良好的温度特性
、低耗能的制造过程等优点，使它能在高倍聚焦的高温环境下仍保持较高的光电转换效率。高倍聚光光伏系统技术门槛较高且行业跨度大，涵盖半导体材料及工艺制造、半导体封装、光学设计制造、自动化控制、机械设计制造

第一太阳能每瓦69美分的成本，由于多晶硅电池有更高的转换效率，天合光能完全能够享有这个每瓦20美分的“溢价”。长远来看，瑞银认为第一太阳能的薄膜电池比晶硅电池有更大的成本压缩空间。
薄膜电池造成了价格压力。瑞信同时将第一太阳能2011年的EPS预期由9.51美元调低至9美元（市场普遍预期的是9.41美元），并认为2012年时天合光能的自产光伏组件成本有望降低至每瓦88美分，较之

多晶硅电池的转换效率已经普遍达到17%和19%，但长期以来，非晶硅薄膜电池的转换效率只有6%-8%。尽管铂阳太阳能宣称，其设备产出产品的转换效率可以达到9.5%，但也只有晶体硅电池的一半左右

of ownership)降低至0.5欧元/峰瓦。由于该生产线制造硅基薄膜电池所需能量较少，因此能量回收期仅有一年左右的时间。目前ThinFab生产线的实验室产品组件转换效率已经达到11.9%，未来具有进一步提升