薄膜电池组件

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光伏产业的薄膜时代即将来临来源: 发布时间:2012-10-29 10:32:38

300万千瓦,到2020年规模达2500万千瓦的要求,业内分析认为,随着未来屋顶光伏电站的大规模开建,相对更适用于屋顶电站的薄膜太阳能组件市场有望迎来发展良机,而这一市场未来10年的规模或可达1000亿元以上。此前普遍不被看好的薄膜太阳能电池组件商有望进入业绩大幅增长通道,可以说薄膜时代即将来临。

关键技术与设备:光伏产业核心所在【最新专题】来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-27 08:46:59

不被看好的薄膜太阳能电池组件商有望进入业绩大幅增长通道,可以说薄膜时代即将来临。敬请关注本期专题:光伏生产技术与设备专题系列(薄膜特刊),详情【点击】 。
为了寻找单晶硅电池的替代品,人们除开发了多晶硅,非晶硅薄膜太阳能电池外,又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物,硫化镉,碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。那么什么是薄膜电池呢

政府扶持光伏政策总结来源: 发布时间:2012-10-26 15:40:44

,屋顶和采光顶可能就更适合选择晶硅电池组件,且单位面积发电量多;而外立面用薄膜电池就更好一些,因为弱光效应好,发电成本更低,但转换率、稳定性和寿命较差。
,中国光伏产业正处内外交困之际,为此国家出台上网电价和金太阳等一系列补贴政策,对于打开中国光伏市场功不可没。而分布式光伏应用市场成为其中的重点,光电建筑一体化更成为焦点。晶硅电池和薄膜电池两者也各有优势

光伏电站接入电网标准将公布 9股望成赢家来源: 发布时间:2012-10-26 09:07:59

计提减值准备拖累11年业绩报告期内,公司实现销售收入33.33亿元,比上年增长24.04%。其中实现组件销售收入为30.88亿元,实现电池组件销量313MW,比上年增加112MW,增幅为55.72
后,非晶硅光伏电池产能约为50MW/年,晶体硅光伏电池产能约为200MW/年。渭南150MW(非晶硅)光伏电池项目在2012年投产,达产后非晶硅薄膜电池产能将增长到200MW/年。公司产能的快速提升将会

旭双太阳能首批非晶硅薄膜光伏电池组件成功发货来源:世纪新能源网 发布时间:2012-10-24 23:59:59

太阳能电池生产线产业基地奠定了坚实的基础,为发展壮大民族绿色太阳能产业书写新的篇章。 图:旭双太阳能首批非晶硅薄膜光伏电池组件成功发货
索比光伏网讯::成都旭双太阳能科技有限公司是东旭集团在太阳能产业成功布局的第一个太阳能电池生产基地,一期工程年产60MW的非晶硅薄膜电池及组件产线于2012年3月31日正式投产,经过半年的试产,各项

光伏产业逐渐实现以光伏电力来生产光伏产品来源: 发布时间:2012-10-24 10:40:08

超过生产电池所消耗的电能所需要的时间。能量回收期越短说明社会/经济效益越高。经计算,多晶硅电池(从硅沙直到光伏电站系统)能量回收期为1.59年, 薄膜电池能量回收期为0.78年。详细计算见下
》),即使到2015年太阳能发电装机容量达到21GW以上,这也仅占到全国发电装机总量不足1.5%。所以光伏的地位始终是作为补充电力能源。但是当2015年实现光伏平价上网之后,相信每个光伏电池组件生产商

畅想光伏:以光伏电力来生产光伏产品来源: 发布时间:2012-10-24 10:36:59

的电能所需要的时间。能量回收期越短说明社会/经济效益越高。经计算,多晶硅电池(从硅沙直到光伏电站系统)能量回收期为1.59年, 薄膜电池能量回收期为0.78年。详细计算见下表。国内生产的太阳能组件的
太阳能发电装机容量达到21GW以上,这也仅占到全国发电装机总量不足1.5%。所以光伏的地位始终是作为补充电力能源。但是当2015年实现光伏平价上网之后,相信每个光伏电池组件生产商都会尽可能优先使用自己的产品

【光伏视角】罗凡华:尚德最核心的问题是道德问题来源: 发布时间:2012-10-23 14:11:05

索比光伏网讯:今天关注的一家公司,曾经在光伏产业中,声名显赫,但如今却困扰在破产的报道中,这就是无锡尚德。回想当初,从一个无锡小厂发展到全球最大的多晶硅电池组件制造商,在美国上市,尚德电力可谓是光芒
生产晶硅电池的尚德电力打造成了世界最大的光伏电池厂商。如今光伏业界分为晶硅与薄膜两大阵营,目前,晶硅电池已占80%以上市场,占绝对主导地位,但由于施当初所学专业实为薄膜电池,所以他始终对薄膜情有独钟

江苏2012第二批金太阳示范工程通知发布来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-23 11:21:59

基本要求(2012年)一、电池组件(一)性能要求1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)14.45%,非晶硅薄膜组件7%,CIGS薄膜组件10%。2、工作温度范围-40C +85C,初始功率

【光伏观察】关于组织申报2012年度第二批金太阳示范工程通知来源: 发布时间:2012-10-23 10:41:08

王蕾 025-836333094二〇一二年十月十九日金太阳示范工程关键设备基本要求(2012年)一、电池组件(一)性能要求1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)14.45
%,非晶硅薄膜组件7%,CIGS薄膜组件10%。2、工作温度范围-40C +85C,初始功率(出厂前)不低于组件标称功率。3、使用寿命不低于25年,质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%,25年内