薄膜电池厂

。电池片环节技术升级百 花齐放，PERC+延展 PERC 生命力，N 型电池产业化前景可期，建议积极关注 N 型技术后续产业化进展。未来电池厂商所掌握的高效先进产能规模将决定其 在光伏平价时代的竞争力
提供了新路径。HIT 作为双极型晶体硅电池的最高形式，技术效率提升潜力巨大，电池厂 商纷纷布局寻求突破。 1、PERC 技术已成主流，工艺升级趋势下，生命力有望延续 相比 BSF，PERC

、HIT技术在近期取得了比较大的进展。光伏电池下一步往哪里走，其实争论挺多的，HIT、TOPCon、IBC、PERT都是潜在的方向，目前来看HIT应该是最接近成熟的，这一点可以从电池厂的方向选择和设备厂
。 异质结电池结构和生产工序。异质结电池以N型硅片做衬底，先清洗干净制作金字塔绒面，然后再两侧分别沉积本征非晶硅薄膜，起到钝化硅片两侧悬挂键的作用，然后再接着沉积掺杂非晶硅，制成PN结，PN结就是

进一步批准了对光伏组件进口产品征收30%的201保障关税，并在未来四年内每年将关税降低5%。 2.伤害了谁? 这些新的关税不能说完全没有用，至少目前美国的薄膜光伏是全球活得最滋润的。晶硅组件价格成为
是否能恢复元气，实现美国市场的自给自足呢?被迫关闭的Hemlock田纳西工厂是否有可能重开产能呢? 如果这样，那么未来10年美国将急缺硅锭、硅片和电池厂。在这三个领域领先全球10年的中国企业，拥有10

首例商用薄膜电池动力组件。 1987年11月，在3100Km穿越澳大利亚的PentaxWorldSolarChallengePV-动力汽车竞赛上，GMSunraycer获胜，平均时速约为71km/h
太阳电池研发，随后，天津18所为东方红二号、三号、四号系列地球同步轨道卫星研制生产太阳电池阵。 1975年宁波、开封先后成立太阳电池厂，电池制造工艺模仿早期生产空间电池的工艺，太阳能电池的应用开始从空间

关键时期，关注布局N-HJT的电池企业。 事件驱动 上市公司竞相布局 晶体硅异质结太阳电池(HIT/HDT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单、工艺温度低
，晋能科技在成都宣布，公司创新研发的HJT电池平均效率已经达到23.79%，最高效率则突破至24.73%，双面率更是达到93%。2019年7月，异质结太阳能电池厂商钧石能源与山煤国际能源集团签订了合作协议

了0.5。 如今HIT是蓄势待发，而关于HIT，你知道多少?HIT问世已30年，技术积累带来突破。未来又将如何发展? 异质结电池从萌芽走向成熟 HIT萌芽：1989-1990年。日本三洋用非晶硅薄膜
资本：传统电池厂自我迭代，产业外资本谋求弯道超车 传统电池厂自我迭代。光伏产业技术路线众多，对经营决策提出了很大挑战，如果对未来技术路线判断错误，很可能导致产业地位的颠覆，光伏产业发展至今这样的例子

击穿效应，是半导体器件和光伏电池的主要结构单元。根据PN结内部结构的不同，分为同质结和异质结。HIT电池是由晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，因此称为异质结电池。 异质结电池最早由日本三洋于1990年研发
异质结电池一般是以 N型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉积80-100nm的透明导电氧化物薄膜 TCO

图3双面PERC组件PID失效图片(靠近边框部分失效明显) 爱旭作为业内领先的专业电池厂是如何做到双面PID FREE的呢?主要有以下四点： 一、爱旭坚持使用业内前三名的材料厂商，只使用最优
PERC电池制造工艺 爱旭科技PERC双面电池通过热氧化工艺，在硅片正面生成致密的SiOx薄膜层，结合高折射率的氮化硅减反膜，可以有效地阻隔金属离子，提高正面抗PID性能;针对更为棘手的背面PID问题

的分析，其原因在于ALD 三氧化二铝薄膜具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的氢原子向电池内部的扩散，从而减少LeTID衰减。而PECVD氧化铝薄膜由于存在较多缺陷和针孔，无法阻挡

，截至去年，微导ALD设备国内市场占有率达到80%左右。目前共有超过20多个电池厂家采用微导的ALD技术，累计出货超过140多台，总装机量接近40GW。微导推出的管式ALD设备在技术和成本、量产数据上都
。 碲化镉薄膜发电玻璃对倾角依赖性不大，受遮挡影响较小，衰减低，易维护，整体发电量高于晶硅产品10%以上，可作为优质建材推动光伏+建筑行业。目前瑞科的产品包括碲化镉标准光伏组件，可定制化透光、彩色、中空、发光