至纯洁净

。 　　该项目针对多晶硅生产中副产物的综合利用的产业化，重点开展副产物原料纯化与高纯SiCl4制备技术研究，高温水解技术及燃烧炉的研究，气相二氧化硅聚集分离技术和粒子聚集器研究，气相二氧化硅脱酸技术与表面改性
二氧化硅生产线和一套年产1000吨的气相二氧化硅连续化表面处理生产线。 　　项目执行年度为2008年至2010年。项目的实施将实现多晶硅副产物的综合利用以及气相二氧化硅生产尾气的综合回收，达到多晶硅

药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹ 以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。　　目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属
,在NH4OH: H2O2: H2O =1:1:5的SC-1液清洗后，Ra可增大至0.5nm。为控制晶片表面Ra，有必要降低NH4OH的组成比，例用0.5:1:5⑨ COP（晶体的原生粒子缺陷）。对CZ

： 　　电阻率：用四探针法。 　　OISF密度：利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化，再经过腐蚀后观察其密度进行报数。 　　碳含量：利用红外分光光度计进行检测。 　　单晶硅抛光片品质规格： 单晶硅
）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 　　（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定

、照明和家用电源、农牧业抽水、广播通讯台站电源及中小型联网电站等。a一Si太阳电池成了光伏能源中的一支生力军，对整个洁净可再生能源发展起了巨大的推动作用。非晶硅太阳电他的诞生、发展过程是生动、复杂和曲
，价格低廉。硅薄膜厚度不到1μm，昂贵的纯硅材料用量很少。制作工艺为低温工艺（100一300°C），生产的耗电量小，能量回收时间短）（2）易于形成大规模生产能力。这是因为核心工艺适合制作特大面积无结构