背钝化

中崛起，不是因为技术领跑，而是因为标准要求不高后，让普通的单晶产能都进了领跑者项目，谁还会去投入技术升级或新技术产业化呢？最明显的例子是，在单晶上推广了多年的背钝化电池（PERC）技术，能够在普通

SiNx较适合用于IBC电池的N型硅前表面的钝化。而对于电池背表面，由于同时有P，N两种扩散，理想的钝化膜则是能同时钝化P,N两种扩散界面，二氧化硅是一个较理想的选择。如果背面Emitter/P+硅占

的产品。参与光伏“领跑者”计划引领行业新标准晶科能源自成立来，每年投入研发经费快速增长，2016年达6.7亿，形成了以技术中心为核心的创新体系。晶科能源通过低反射背表面钝化电池的应用，结合高陷光低电阻

Fraunhofer ISE CalLab验证。证明使用1366的无切口，156mm多晶硅晶片和韩华Q CELLS Q.ANTUM钝化发射极背接触（PERC）电池工艺可实现效率的快速提升。1366

片型)输出功率5瓦左右。 受益于诸多一线大厂的推动，PERC(Passivated Emitterand Rear Cell背钝化电池)技术在多晶上的应用也趋于成熟。有报道称PERC技术能提升
单晶的19.6-19.8%以及单晶+PERC更高。 为了进一步降低背面复合速率、实现背面整体钝化，并去除背面开膜工艺，钝化接触技术近年来成为行业研究热点。TopCon(Tunnel Oxide

功能后，可能会因此影响原先的背射极钝化功能，造成电池正面的发电功率下降。如此一来，虽然有背面发电增益，整体组件的输出瓦数不会上升太多，意义不大。因此，如何在加上背面发电之后仍维持正面发电效率，将是发展P型PERC双面发电技术厂商最大的挑战。

推动技术创新以降低成本，使政府支持可以随着时间的推移而减少。在效率上迈进在MITPVLab和世界各地，太阳能的转换效率已经取得了重大进展。一种特别有前景的技术是钝化发射区背面电池(PERC)，其基于低成本晶体硅
，它们失去能量并落入价带。随时间的电导率变化反映出样品中电子的平均寿命。定位和缺陷表征为了解决PERC太阳能电池的性能问题，研究人员需要弄清楚模块中的主要缺陷所在，包括硅表面、铝背衬和材料之间的各种

钝化发射区背面电池（PERC），其基于低成本晶体硅，但具有比常规硅电池捕获更多太阳能量的特殊结构。虽然成本必须降低，但该技术有望使效率提高7％，许多专家预测其能被广泛采用。但是仍有一个问题需要解决。在
主要缺陷所在，包括硅表面、铝背衬和材料之间的各种界面。但麻省理工学院团队认为缺陷最有可能存在于硅片本身。为了验证这个假设，他们使用了在750℃和950℃下制造的太阳能电池来验证这个假设，并且设定了光照