背钝化

。 异质结电池能否以P型硅片作衬底?理论上可以，但实际生产中普遍使用N型硅片： P型硅片少子寿命低，输出性能弱于N型。 P型硅片能带匹配度不如N型。 N型硅片更容易钝化，钝化以提高开路
更好的钝化效果。 2) 制备非晶硅薄膜：硅片在PECVD设备中制做钝化膜和PN结。HIT的高效率根源于本征非晶硅薄膜优良的钝化效果。晶硅表面存在大量的悬挂键，光照激发的少数载流子到达表面后

主要集中在晶体硅电池的发射极及背电极钝化技术(PERC)、异质结技术(HIT)、叉指背接触技术(IBC)、电极绕通背接触技术(MWT)，以及硅片的黑硅、n 型技术。但是由于电池的产业化要求和工艺

主要集中在晶体硅电池的发射极及背电极钝化技术(PERC)、异质结技术(HIT)、叉指背接触技术(IBC)、电极绕通背接触技术(MWT)，以及硅片的黑硅、n 型技术。但是由于电池的产业化要求和工艺

PERC为代表的新技术出现，成本继续下降 4.1.1.设备增加有限，更新成本低 新增两种设备，效率提升一个百分点：PERC电池，全称为钝化发射极和背面电池，其电池结构是从常规铝背场电池(BSF)结构
%。 (2)ALD技术引用，进一步降低非硅成本 钝化技术中，ALD技术性价比更高：背钝化材料中，氧化铝是目前市场首选。而影响背面钝化成本的两个核心因素是氧化铝膜厚度和TMA使用量。而相比于

)表征结果表明：电池片的背钝化效果恶化，组件功率明显衰减;越靠近组件边框，电池受到的电势越大，Na+迁移率越高，因此边框周围的电池片发生PID衰减的概率更大，如图3所示。 图1 PID测试后
电站投资商损失惨重。 近两年双面发电组件由于可以大幅提升电站投资商收益，所以得到了大规模发展及应用。双面组件的PID问题得到了业界的广泛重视。 PERC双面电池背面的钝化膜AlOx/Si界面

TOPCon，如果是在背表面被烧穿问题还不算大，最多钝化效果被破坏了一点，影响转换效率，但如果未来做双面TOPCon，正表面被烧穿的话引起PN结短路，整个电池就会失效;三是同质结掺硼的难度较大，未来
PERC之后是什么?在技术快速更新迭代的光伏行业，这已经成为很多企业关注的问题。其中，N型电池技术异质结(HJT)与钝化接触(TOPCon)是当前呼声最高的PERC下一代电池技术，关于HJT和

离子注入电池、选择性背场电池、新型钝化接触电池的技术研发和产业化情况，总结了晶体硅太阳电池的研发及产业化方向。 据了解，作为全球三大高效太阳能电池之一，熊猫一直是英利的核心技术，已拥有完整的产品认证
10月30-31日，第二届异质结与钝化接触量产技术发展论坛在北京召开，英利出席会议并发表主旨演讲。据悉，此次会议由英利光伏材料与技术国家重点实验室联合主办。 本次会议旨在发挥国家重点实验室的学术

光伏市场对高功率组件产品需求愈加强烈，促使单晶硅高速发展，从而拉开了行业从多晶进入单晶时代的序幕。 众所周知，为确保光伏发电的竞争力，提效和降本一直是光伏人绕不开的两个话题。PERC技术是传统铝背场技术的
创新与发展，凭借其优异的钝化效果，使得单晶电池转换效率提升至22.0%以上，经济效益显著，由此宣告了PERC时代的全面来临。 那么PERC之后，谁又将接棒扛起下一代技术的大旗? 据了解，目前市场

，P5高效多晶电池采用了157mmx157mm P5多晶硅片，并整合了选择性发射极、氧化硅钝化、叠层减反射、氧化铝背钝化、先进金属化等多项电池技术。其中湿法黑硅陷光技术具有阿特斯自主知识产权，在大幅

，最终成为首家GW级高效背接触组件量产的企业，产品经过市场的检验，得到了用户的认可。MWT产品的背面布线技术大大减少遮光面积，提高了受光面，从而保证高效率;且利用导电箔取代焊带，避免隐裂等隐患，从根源
上保证了产品的可靠性。 江苏日托光伏科技股份有限公司技术中心总经理吴仕梁博士 泰州中来光电科技有限公司研发部吴伟梁博士发表了《n型双面钝化接触太阳电池和组件的产业化进展与应用》主题演讲，吴