背结太阳能电池
纪录提高了0.7%）的单晶体硅异质结太阳能电池。本次效率突破，研究人员改进了180CM的太阳能NEDO拥有的若干技术。通过创新的异质结太阳能电池能够减少电阻性损耗，使太阳能电池中的正负电荷结合从而产生
：槽内的选择性扩散、表面二氧化硅的钝化、表面减反射膜、铝的吸杂、背电场钝化和镀铜金属化等技术。尤其是激光开槽埋栅电池技术第一次创造了单晶硅电池光电转换效率超过20%的世界纪录!在九十年代初期，在
月，我改变了博士论文的研究课题，开始从事多晶硅薄膜太阳能电池的研究。工作的主要内容是釆用液相生长法(Solution Growth)将多晶硅薄膜生长在玻璃上，从而降低硅材料的用量，以期降低光伏电池的
，Stuart从理论上和实验上对晶体硅埋栅电池做了系统的研究，采用激光开槽和机械沙轮开槽等技术开发了埋栅电池的制造工艺，包括：槽内的选择性扩散、表面二氧化硅的钝化、表面减反射膜、铝的吸杂、背电场钝化和
生产。1994年，我曾陪Martin和Stuart去云南半导体器件厂和北京太阳能研究所洽谈埋栅电池技术转让事宜。1989年9月，我改变了博士论文的研究课题，开始从事多晶硅薄膜太阳能电池的研究。工作的主要内容是
，标志着高效电池的研发又达到了新的里程碑。
IBC电池出现于20世纪70年代，是最早研究的背结电池，将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术，可使面朝太阳的电池片正面呈全黑色，完全看不到多数
太阳能电池背面电极布局结构。成功解决了背钝化电池局域背场的形成以及金属接触的关键技术难题，显著提高晶体硅太阳电池的结构性能，从而提升晶体硅太阳能电池的转换效率。
编辑点评：
天合光能大面积6英寸IBC
。IBC电池出现于20世纪70年代，是最早研究的背结电池，将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术，可使面朝太阳的电池片正面呈全黑色，完全看不到多数太阳电池正面呈现的金属线，不仅为使用者带来同等面积
晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法继今年5月获得江苏省专利金奖后，再次荣获中国专利优秀奖。这项技术再一次完善了晶体硅太阳能电池背面电极布局结构。成功解决了背钝化电池局域背场的形成以及金属
硼原子，形成P型半导体。当P型和N型结合在一起时，接触面就会形成电势差，成为太阳能电池。当太阳光照射到P－N结后，空穴由P极区往N极区移动，电子由N极区向P极区移动，形成电流。
光电效应就是光照使
。在硅片上掺杂和扩散微量的硼、磷等，就形成P－N结。然后采用丝网印刷，将精配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂一层防反射涂层，电池片就至此制成。电池片排列组合
呢？相比单面电池，为何能有较高的发电效率？
如图1（a）所示，n-PERT双面电池的结构为：金属电极、前表面减反膜、硼掺杂发射极、n型硅、磷掺杂背场（BSF）、背面减反射膜和背面电极
，被硅吸收，激发的电子-空穴对被n+-n高低结分离，从而对电池的光电流和效率产生贡献（图a）。然而，单面电池的背面被金属电极完全覆盖，金属电极的厚度~10m，光无法穿透背面金属电极被硅吸收，因此，单面
PERC电池与HIT电池工艺与技术的现状及差异
HIT(本征薄层的异质结Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm)太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成
(-0.258%/C )。在目前量产水平上，技术改进了0.032点，凸显了异质结太阳能电池的正温度特性。
从2014年初Panasonic的25.6%打破UNSW保持了近20年的记录开始
热词，得到市场的逐渐认可;与此同时，之前甚少企业介入的全背接触式电池(IBC)、异质结电池(HIT)以及金属缠绕背接触电池(MWT)等高效电池技术也受到了越来越多企业的关注和投入。十三五光伏技术
创新规划提出，2020年前将晶硅太阳能电池效率提高到23%以上的目标，实现HIT、IBC等电池国产化等。从成本来看，同样3KW规模的分布式户用屋顶光伏电站成本已经降低至3万元人民币以内，较十年前成本下降
的逐渐认可;与此同时，之前甚少企业介入的全背接触式电池(IBC)、异质结电池(HIT)以及金属缠绕背接触电池(MWT)等高效电池技术也受到了越来越多企业的关注和投入。十三五光伏技术创新规划提出
，2020年前将晶硅太阳能电池效率提高到23%以上的目标，实现HIT、IBC等电池国产化等。从成本来看，同样3KW规模的分布式户用屋顶光伏电站成本已经降低至3万元人民币以内，较十年前成本下降了50
