背材膜
太阳能光伏技术——多晶硅薄膜太阳电池来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-08 17:26:56
作用。前电极采用光刻栅线的方法在ＳＩＯ２膜上开出电极栅线条，再用热蒸发法制备ＴＩ／ＰＤ／ＡＧ电极。在衬底的背面蒸镀ＡＬ或ＴＩ／ＰＤ／ＡＧ，得到背电极。用这种方法得到的硅薄膜电池的效率已达到12.11
%。
在非硅底材上生长多晶硅薄膜的太阳电池的研究方面，我们主要研究在ＳＩＯ２和ＳＩ３Ｎ４膜底材上生长多晶硅薄膜电池。ＳＩＯ２膜与硅的晶格匹配较好，热膨胀系数也较相近，用ＳＩＯ２作衬底较佳。首先在
太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-08 17:25:55
增加，能在CdS层内收集到更多的光激发载流子。
1.3 CdS簿膜电学特性
一般而言，本征CdS薄膜的串联电阻很高，不利于做窗口层，在300℃-350℃之间，将In扩散入CdS中，把本征
CdS变成n-CdS，电导率可达102-1cm-1左右。对CdS热处理也能使电导率增加108-1cm-1的量级。
在相对低温下进行热扩散，以免使膜退化。当在空气中加热到300℃时，由于氧在晶界
