背接触

发射极上的指形电极，而Al用于作为p型基极上的背电极。硅片太阳能电池达到万亿瓦数量级的主要瓶颈之一是Ag的稀少。根据美国地质调查(U.S. Geological Survey)，地球上已知的Ag储量
高111%，但Ca与水气反应，故不适宜用作接触金属。Ca以上任何金属的电阻率太高，不宜用于指形电极。 表2根据U.S.Geological Survey列出各种金属已知的储备量和目前的年产量。储备量

需求的～18%。在现今几乎所有的硅片太阳能电池中，用Ag作为n型发射极上的指形电极，而Al用于作为p型基极上的背电极。硅片太阳能电池达到万亿瓦数量级的主要瓶颈之一是Ag的稀少。根据美国地质调查
同样的指电阻。这颇具挑战性，不过仍有潜在的可行性。Ca的电阻率高111%，但Ca与水气反应，故不适宜用作接触金属。Ca以上任何金属的电阻率太高，不宜用于指形电极。表2根据U.S.Geological

（离子增强化学气相淀蹟）来制作背钝化膜。该设备用ICP（间接等离子法）工艺来提高消耗品的利用率，从而降低成本。该集团正紧密加强与伙伴的合作，使用激光开孔的方法做背面接触。该技术方案整合了工艺步骤到现有
2013年5月13日，德国新格拉斯科技集团将在SNEC上展示晶硅电池背钝化技术的生产方案（如PERC，发射极钝化和背场钝化）。该方案能在现有的晶硅电池生产线上进行升级，无需使用选择性发射极，通过

的工艺时间。预计到2015年，互联技术将有很大的发展，背接触电池概念将被引进。随着组件制造设备的正常运行时间和产出率将增加(见图10)，相应的操作工数量将减少。工艺技术除了制造参数外，转化效率也预计
。再复合电流可以测量，也可以从IV曲线中获得，前提是J0已知。铝背场(BSF)的电池的背面再复合电流的值无法低于200fA/cm。另外背面的反射率也需要改善。业界已经引入了更好的钝化工艺，同时也需要

工艺时间。预计到2015年，互联技术将有很大的发展，背接触电池概念将被引进。随着组件制造设备的正常运行时间和产出率将增加（见图10），相应的操作工数量将减少。 工艺技术除了制造参数外，转化效率也预计
复合电流可以测量，也可以从IV曲线中获得，前提是J0已知。铝背场（BSF）的电池的背面再复合电流的值无法低于200fA/cm。另外背面的反射率也需要改善。业界已经引入了更好的钝化工艺，同时也需要具有

兴起做出贡献的低成本（成本/Wp）技术的主要推动力。特别是近十年来，背接触太阳能电池的概念（如交指式背接触（IBC）、发射极环绕穿通（EWT）和金属环绕穿通（MWT））已被考虑，并开发在工业中应用

产品，但他表示如果工艺人员想操作省心，企业要电池效率，建议还是用杜邦或贺利氏。 细数两家企业历年正面接触电极系列产品，杜邦开发更新速度平均在每年一个系列，自2010年后进入高速更新阶段：2008
年度，两方的新品进入新一轮的竞争。2012年5月，贺利氏发布其SOL9600系列前表面金属化浆料，称该产品在普通硅片和高方阻硅片的测试中表现出优异的性能(接触电阻最大可降低35%)，电池效率净提高0.3

过一小段国产产品，但他表示如果工艺人员想操作省心，企业要电池效率，建议还是用杜邦或贺利氏。细数两家企业历年正面接触电极系列产品，杜邦开发更新速度平均在每年一个系列，自2010年后进入高速更新
，两方的新品进入新一轮的竞争。2012年5月，贺利氏发布其SOL9600系列前表面金属化浆料，称该产品在普通硅片和高方阻硅片的测试中表现出优异的性能(接触电阻最大可降低35%)，电池效率净提高0.3

2015年开始实现部分应用。 　　4.其它关键光伏制造技术 　　除了上面提到的三项技术，还有背接触电池技术、双面发电电池技术、组件前板玻璃减反射技术、组件前板玻璃减薄技术、无边框组件技术都是将来

部分应用。4.其它关键光伏制造技术除了上面提到的三项技术，还有背接触电池技术、双面发电电池技术、组件前板玻璃减反射技术、组件前板玻璃减薄技术、无边框组件技术都是将来光伏电池、组件提高转换效率、降低