聚光光伏

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山西印发光伏扶贫项目管理暂行办法:鼓励企业采用“领跑者”产品来源:山西省人民政府网 发布时间:2016-09-22 09:13:05

时间96小时标准条件下,PID衰减不高于3%;电流分档不大于0.05A;应通过CQC或TUV认证,以及耐氨气、盐雾认证;质保不低于12年。(三)高倍聚光光伏组件的光电转换效率不低于28%;项目投产运行

解析光伏领跑者指标 预测未来设备发展趋势来源:计鹏新能源 发布时间:2016-09-22 08:54:19

。那么我们来一看一领跑者示范基地先进技术产品需要有哪些过人之处: 一、普通光伏项目指标为 (一) 多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5% 和16%; (二) 高倍聚光光伏
,一年内衰减率分别不高于2.5%、3% 和5%,之后每年衰减率不高于0.7%,项目全生命周期内衰减率不高于20%。 (五)高倍聚光光伏组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率不高于2%,之后每年衰减率

从光伏领跑者指标看未来设备发展趋势来源: 发布时间:2016-09-22 08:27:59

。那么我们来一看一领跑者示范基地先进技术产品需要有哪些过人之处:一、普通光伏项目指标为(一)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%;(二)高倍聚光光伏组件光电转换
%、3%和5%,之后每年衰减率不高于0.7%,项目全生命周期内衰减率不高于20%。(五)高倍聚光光伏组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率不高于2%,之后每年衰减率不高于0.5%,项目全生命周期内衰减率

解析光伏领跑者指标 预测未来设备发展趋势来源:计鹏新能源 发布时间:2016-09-21 23:59:59

聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;(三)硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11% 和10%;(四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年
内衰减率分别不高于2.5%、3% 和5%,之后每年衰减率不高于0.7%,项目全生命周期内衰减率不高于20%。(五)高倍聚光光伏组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率不高于2%,之后每年衰减率不高于

0.4元/Kwh?C7光伏电站真的来了来源: 发布时间:2016-09-19 10:56:59

2014年中环股份在内蒙古20MW规模的C7低倍聚光光伏电站开工建设,C7系统不再是纸上谈兵,该项目共20个方阵,每个方阵容量设计为1MW。光伏组件由115W单晶光伏阵列组成。每个方阵由96组C7模组

陕西、宁夏、青海三省多能互补示范工程调研报告来源: 发布时间:2016-09-19 10:36:59

聚光光伏,65千瓦微型燃气轮机、125千瓦5小时钒液流储能系统、100千瓦20秒超级电容储能系统以及工业园区负荷组成,总装机容量0.244万千瓦(储能系统容量未计入),预计年发电量643.5万千

陕西、宁夏、青海三省(区)多能互补集成优化示范工程调研报告来源:西北能监局 发布时间:2016-09-19 10:22:13

、30千瓦高透聚光光伏,65千瓦微型燃气轮机、125千瓦5小时钒液流储能系统、100千瓦20秒超级电容储能系统以及工业园区负荷组成,总装机容量0.244万千瓦(储能系统容量未计入),预计

独家组图:0.4元/Kwh?中环股份C7光伏电站真的来了来源:世纪新能源网 发布时间:2016-09-18 23:59:59

Solar Impulse随着2014年中环股份在内蒙古20MW规模的C7低倍聚光光伏电站开工建设,C7系统不再是纸上谈兵,该项目共20个方阵,每个方阵容量设计为1MW。光伏组件由115W单晶光伏阵列组成

瑞士初创企业开发转换效率36.4%的聚光型太阳能电池板来源:日经BP社 发布时间:2016-09-18 09:54:40

索比光伏网讯:瑞士Insolight公司9月7日宣布,其开发中的聚光型太阳能电池板实现了36.4%的转换效率(图1)。图1:Insolight开发中的聚光型太阳能电池板(摄影:EFPL/Alain Herzog)此次开发的试制品的转换效率,是经第三方机构德国弗劳恩霍夫协会(Fraunhofer ISE)认证的。据称作为可在屋顶上设置的平面太阳能电池板的转换效率,可能会创世界记录。目前市售的

【注意】什么是光伏领跑者计划?如何实施?来源: 发布时间:2016-09-18 08:27:59

以下指标:1、多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;2、高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;3、硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其
15.5%和16%;2、高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;3、硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;4、多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自