组件封装工艺

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中利腾晖普通多晶量产平均效率达到18.58%来源: 发布时间:2016-06-12 11:09:59

近日,经过中利腾晖技术研发团队持续的技术改进和工艺优化,公司的普通多晶电池产品的平均转换效率达到18.58%,并已通过100MW电池中试线批量验证。该技术产品采用了中利腾晖自主知识产权的花栅电极结构
,该自主知识产权已获得国内和国际发明专利授权(国内专利号:ZL201210546510.X,国际专利号:JP2013-229566,其他相关国内外专利布局进行中)。该技术是基于传统工艺流程,无需增加

我国光伏行业发展环境趋势分析来源: 发布时间:2016-05-03 18:13:59

外部环境的共同推动下,我国光伏企业加大工艺技术研发力度,生产工艺水平不断进步。骨干企业多晶硅生产能耗继续下降,综合成本已降至9万元/吨,行业平均综合电耗已降至100kWh/kg,硅烷法流化床法等产业化
进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进,产业化效率分别达到19.5%和18.3%,钝化发射极背面接触(PERC)、异质结(HIT)、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展;光伏组件封装及抗光致衰减技术

2016我国光伏产业预计全年新增20GW以上来源:中国工业报 发布时间:2016-04-27 08:52:19

。2015年,在内外部环境的共同推动下,我国光伏企业加大工艺技术研发力度,生产工艺水平不断进步。骨干企业多晶硅生产能耗继续下降,综合成本已降至9万元/吨,行业平均综合电耗已降至100kWh/kg,硅烷法
流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进,产业化效率分别达到19.5%和18.3%,钝化发射极背面接触(PERC)、异质结(HIT)、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展;光伏组件封装及抗

2016年光伏行业发展形势及对策建议来源:中国电力网 发布时间:2016-04-26 23:59:59

下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响,企业扩产仍需理性。发展趋势(二)产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升,生产成本逐步降低。2015年,在内外部环境的共同推动下,我国光伏企业加大工艺
技术研发力度,生产工艺水平不断进步。骨干企业多晶硅生产能耗继续下降,综合成本已降至9万元/吨,行业平均综合电耗已降至100kWh/kg,硅烷法流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进

“奥力弗”全力打造光伏全产业链王国来源:嘉兴日报 发布时间:2016-04-26 23:59:59

。其中,嘉兴奥力弗光伏科技有限公司是这场绿色运动的中坚力量。起步至今,奥力弗一路成长,从最初的组件封装,到涉足光伏产品的研究、开发、设计、制造以及发电系统的安装,公司不断壮大,产能不断提升,正昂首阔步
始料未及的。怎么办?奥力弗硬生生闯出了一条路:以品质做保障,为客户量身定制产品,满足客户的多种需要,通过精心设计、严格质量控制体系、完善生产工艺,光伏组件销往全国各地,并远销欧洲、美国、加拿大、东南亚等

2016年光伏产业发展趋势及存在问题来源:中国工业报 发布时间:2016-04-26 23:59:59

、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响,企业扩产仍需理性。发展趋势(二)产业投资持续增强 技术水平不断提升技术水平不断提升,生产成本逐步降低。2015年,在内外部环境的共同推动下,我国光伏企业加大工艺
技术研发力度,生产工艺水平不断进步。骨干企业多晶硅生产能耗继续下降,综合成本已降至9万元/吨,行业平均综合电耗已降至100kWh/kg,硅烷法流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进

2016我国光伏产业仍将保持增长 预计全年新增20GW以上来源:中国工业报 发布时间:2016-04-26 23:59:59

,我国光伏企业加大工艺技术研发力度,生产工艺水平不断进步。骨干企业多晶硅生产能耗继续下降,综合成本已降至9万元/吨,行业平均综合电耗已降至100kWh/kg,硅烷法流化床法等产业化进程加快;单晶及
多晶电池技术持续改进,产业化效率分别达到19.5%和18.3%,钝化发射极背面接触(PERC)、异质结(HIT)、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展;光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进,领先企业组件

中国光伏产业的五大现状及五大趋势来源:赛迪顾问 发布时间:2016-04-06 14:05:22

技术路线加快发展,部分技术开始批量生产;光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进。在生产工艺水平的驱动下,产品生产成本不断降低,多晶硅全成本降至15美元/kg,领先企业组件生产成本降至2.9元/瓦
经济效益。 (四)技术水平与产品性能不断提升,生产成本持续下降 2015年,在内外环境的共同推动下,我国光伏企业加大工艺技术研发力度,技术水平与产品性能不断提升。骨干企业多晶硅生产能耗继续下降,行业

解析:单晶多晶组件CTM差异分析来源:光伏新闻 发布时间:2016-03-30 09:35:22

、电流和输出功率得到保证,而且还可以保护电池不受环境损害和机械损伤。晶体硅太阳电池经过封装为组件后,组件的功率(实际功率)与所有电池片的功率之和(理论功率)的差值,称为组件封装功率损失,其计算公式为
:组件功率损失=(理论功率-实际功率)/理论功率。 通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度,CTM值越高表示组件封装功率

【干货】单晶多晶组件CTM差异分析来源: 发布时间:2016-03-30 09:09:59

的电压、电流和输出功率得到保证,而且还可以保护电池不受环境损害和机械损伤。晶体硅太阳电池经过封装为组件后,组件的功率(实际功率)与所有电池片的功率之和(理论功率)的差值,称为组件封装功率损失,其
计算公式为:组件功率损失=(理论功率-实际功率)/理论功率。通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度,CTM值越高表示组件封装功率