组件封装工艺

不超过0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比，整锭单晶硅片面积更大，组件封装损失更小。普通单晶电池工艺的G3硅片60片组件功率达到280-285瓦，应用PERC工艺可达295-300瓦。不仅如此

工程展览会上重磅发布G3新型单晶硅片产品。据介绍，该产品使用铸锭技术生产单晶，在效率、品质、成本、产量上综合了单晶和多晶各自的优势。来自多家电池组件企业的数据显示，新型单晶硅片G3在常规电池工艺
、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点，同时在成本上有明显优势，对光伏的高效化、平价化发展意义重大，有望给传统单晶技术带来深刻变革。G3新品创造性地使用铸锭技术生产单晶，新在铸锭

两道工艺，一道镀膜钝化，一道激光开槽，加上这两个工艺之后，实现电池转换率提高1.0%~1.2%。隆基乐叶产品营销总监王梦松解释。目前隆基乐叶的单晶PERC组件量产效率达21.1%，60片组件输出功率
度电成本。隆基乐叶总裁李文学指出，随着拉单晶环节成本的进一步降低，单晶组件的性价比将愈加优越。共享低衰技术单晶高效化推进亦非一路坦途，最大的阻碍便是其较高的初始衰减。在光伏组件封装材料可靠以及无外界

显示多晶系统发电量比单晶系统年度平均高1.4-3.3%。同一厂家多晶和单晶组件发电量对比为了排除不同公司之间的工艺水平和选用的组件封装材料对组件发电量的影响，我们又选取了2009年5月份安装的BP

可达290W，转换效率达到17.83%。同时，该组件拥有更低的工作温度和优异的弱光响应，并采用抗PID电池工艺和组件封装技术，非常适宜在高温高湿地区安装，在确保项目稳定高效运行的同时，也将实现投资收益

拥有出色的转换效率与优异的耐用性能。通过采用优质硅片、高透光镀膜玻璃，并结合耐候性良好的封装胶膜和背板及先进的组件封装工艺，从而使组件输出功率得到大幅提升。同时，该组件还具有优良的耐氨气、耐盐雾与抗

拥有出色的转换效率与优异的耐用性能。通过采用优质硅片、高透光镀膜玻璃，并结合耐候性良好的封装胶膜和背板及先进的组件封装工艺，从而使组件输出功率得到大幅提升。同时，该组件还具有优良的耐氨气、耐盐雾与抗

下降更是使发电成本降低，甚至达到平价上网。因此在下游市场的刺激下，全球组件产量更是有望大规模增长。另外，近来我国光伏企业的生产工艺水平也不断提升，光伏组件封装以及抗光致衰减技术也不断改进，也为产业发展